2026年微电子技术、集成电路与半导体器件国际会议(ICMTICSD 2026)
发布时间:2026/10/14
2026年微电子技术、集成电路与半导体器件国际会议(ICMTICSD 2026)
2026 International Conference on Microelectronics Technology, Integrated Circuits, and Semiconductor Devices(ICMTICSD 2026)
开会时间:2026年12月3日(暂定)长沙,中国(线上+线下)
一、会议重要信息
截稿时间:2026年11月13日(延期投稿者请咨询会议组江老师)
审核录用:投稿后约3个工作日
会议出版:IEEE、SPIE、ACM等权威出版社
会议收录:EI Compendex, Scopus, CPCI,Google Scholar, CrossRef, ResearchGate等数据库稳定检索
注:投稿文章均将以会议论文集形式正式出版,出版后收录有ISSN和ISBN双刊号。团队及学生投稿享有优惠,具体请咨询会议组江老师。若不投稿,亦欢迎报名参与口头汇报或旁听。如需了解SSCI/SCI期刊、中文核心期刊或三大网省级期刊等其他发表资源,也欢迎联系会议组老师咨询。
二、大会介绍
2026年微电子技术、集成电路与半导体器件国际会议(ICMTICSD 2026)定在中国长沙举行。会议将聚焦微电子技术、集成电路与半导体器件等前沿领域的最新研究成果和发展趋势。本次会议不仅提供了一个高水平的学术交流平台,也促进了产学研各界之间的深入合作,旨在推动集成电路与半导体技术的创新发展,共同探讨与解决行业面临的技术挑战。欢迎各界专业人士踊跃参与,共襄盛会!大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者、企业界人士及其他相关人员参会交流。
三、征稿主题
(包括但不限于):
主题一:微电子技术
微纳米加工技术的新进展
集成电路中的微纳米制造技术
自组装技术在纳米器件中的应用
光刻技术与纳米图案化
微机电系统(MEMS)的设计与制造
新型半导体材料的研究与应用
硅基光电器件的设计与优化
纳米材料在微电子器件中的应用
低功耗电子器件的开发和性能优化
量子点在光电子学中的应用
主题二:集成电路
高性能集成电路设计
数字电路设计
模拟电路设计
ADC/DAC设计
低功耗逻辑电路设计
FPGA架构设计
集成传感器设计
微细加工工艺
光刻技术
先进封装技术,如TSV,CuNCAP
集成电路的老化与故障分析
集成电路安全
集成电动汽车驱动系统的设计和优化
故障诊断与故障修复技术
嵌入式处理器及系统设计
射频前端设计与优化
主题三:半导体器件
新型半导体材料及其在器件中的应用
高性能MOSFET设计与优化
能耗效率优化的功率器件技术
超越硅的III-V族化合物半导体器件
微光电半导体传感器及其应用
半导体激光器及其新兴应用领域
石墨烯和其他二维材料器件
量子点和量子阱半导体器件
新型存储器器件:RRAM, MRAM, FeRAM
低温电子器件的挑战与机遇
高频和高功率器件的突破性技术
硅基光电子器件及其集成技术
隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究
半导体器件的可靠性与老化机制
先进封装和互连结构对器件性能的影响等
四、投稿流程
1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱,我们收到后会第一时间回复您。
2.审稿流程:作者投稿-稿件收到确认(1个工作日)-初审(1-3工作日)-告知结果(接受/拒稿),越早投稿越早收到文章结果。
五、投稿说明
1.本会议官方语言为英语,投稿者务必用英语撰写论文。如需翻译服务请联系会议组江老师详询。
2.向ICMTICSD 2026提交的所有文章将发送给至少两名评审员,并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。
3.论文应具有学术或实用价值,未在国内外学术期刊或会议发表过。作者可通过CrossCheck,Turnitin或其他查询系统自费查重,否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。
4.文章至少6页。论文模板请至官网下载。学生作者或多篇投稿有优惠。
5.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。
六、参会方式
1、主讲嘉宾:申请主题演讲,由组委会审核;
2、口头演讲:申请口头报告,时间为10分钟左右;(名额有限,优先报名)
3、听众参会:不投稿仅参会旁听;
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