2025年半导体器件、集成技术与电子技术国际会议(SDITET 2025)
发布时间:2025/08/29
2025年半导体器件、集成技术与电子技术国际会议(SDITET 2025)
2025 International Conference on Semiconductor Devices, Integration Technology, and Electronic Technology(SDITET 2025)
会议信息
大会官网:www.confs-online.com/sditet
大会地址:柳州
最终截稿时间:以官网时间为准(延期投稿请咨询组委会田老师)
接受/拒稿通知:投稿后3个工作日左右
投稿邮箱:int_committee@163.com【投稿请备注:SDITET投稿+通讯作者姓名+田老师推荐,方便安排审稿,可享优惠价及优先审稿与录用权】
会议简介
2025年半导体器件、集成技术与电子技术国际学术会议(SDITET 2025)将在中国柳州举行。会议旨在为从事”半导体器件”、“集成技术”与“电子技术”研究的专家学者提供一个共享科研成果和前沿技术,了解学术发展趋势,拓宽研究思路,加强学术研究和探讨,促进学术成果产业化合作的平台。大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者,企业界人士及其他相关人员参会交流。
参会方式
1、全文参会(参会+全文发表+报告)
投递全文并参会,录用注册的文章发表在会议论文集上,提交EI Compendex、CPCI、Scopus、CNKI、Google Scholar等收录;
一篇文章的注册费含一位作者的参会(旁听)费用,如需汇报需准备10分钟左右的演讲及PPT;
2、摘要参会(参会+摘要+报告)
投递摘要并参会,安排10分钟左右口头报告;
3、听众参会:无报告仅参会
注:会后我们将开具发票、邀请函、参会证明等材料并发送给参会人员。
文章出版
出版物:所有被会议录用的英文稿件将会发表在会议论文集上, 更多详情请与我们联系(手机/微信:17162865530)。
收录检索:EI Compendex、CPCI、Scopus、CNKI、Google Scholar等。
投稿须知:
1)稿件必须用英文书写,图片、表格、公式中不允许有外文出现;
2)稿件应按照模板标准排版且不少于6页;
3)论文应为原创且从未公开出版的,投稿内容应与主题相关,且有深度性,有创新性;
4)禁止抄袭;
5)禁止一稿多投。
大会主题(研究领域包括但不限于以下主题)
主题一:半导体器件
新型半导体材料及其在器件中的应用
高性能MOSFET设计与优化
能耗效率优化的功率器件技术
超越硅的III-V族化合物半导体器件
微光电半导体传感器及其应用
半导体激光器及其新兴应用领域
石墨烯和其他二维材料器件
量子点和量子阱半导体器件
新型存储器器件:RRAM, MRAM, FeRAM
低温电子器件的挑战与机遇
高频和高功率器件的突破性技术
硅基光电子器件及其集成技术
隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究
半导体器件的可靠性与老化机制
先进封装和互连结构对器件性能的影响
主题二:集成技术
三维集成电路及其制造工艺
片上系统(SoC)与集成方法
芯片异构集成技术
封装级集成技术的发展与创新
集成电路中的热管理技术
射频集成电路及其设计优化
人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用
先进模拟与混合信号集成电路
电源管理集成电路技术
集成电路设计中的可靠性与安全挑战
硅光子学互连技术
超大规模集成技术的最新进展
新兴存储器集成技术
模块化MEMS与NEMS的集成应用
智能传感系统的集成与创新
主题三:电子技术
光纤
电子信息工程
信息安全
电子信息技术
电路分析与设计
电子封装技术
微电子科学与工程
电子与纳米电子
先进电磁学
通信电子线路
集成电路设计与集成系统
微波光子器件物理
集成光学
微型/纳米系统和网络
数字信号处理
模拟计算
信息处理技术
联系方式
组委会:田老师
手机/微信:17162865530
QQ:3766818743
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