第八届半导体物理与器件国际研讨会（The 8th Int'l Conference
on Semiconductor Physics and Devices）
The 8th
Int'l Conference on Semiconductor Physics and Devices(ICSPD 2024)
时间：2024年12月6-8日
地点：中国 · 三亚
会议官网：https://www.academicx.org/ICSPD/2024/
投稿邮箱： workshop12@163.com (editorrolin@gmail.com)
△. 大会简介
第八届半导体物理与器件国际研讨会（The 8th Int'l Conference
on Semiconductor Physics and Devices）将于2024年12月6-8日在中国三亚举办。该会议涵盖化合物半导体，新兴半导体技术，铁磁性/磁性半导体，有机半导体，光电和光伏器件，半导体物理学等所有相关议题。会议将集聚来自世界各地的科研人员、工程师、学者及业界专家，展示他们在半导体物理与器件相关领域的最新研究成果及活动进展。
△. 参会方式
1、全文参会（参会 + 全文发表 + 报告）
投递全文并参会，录用的文章发表在开源期刊上，被知网学术、谷歌学术等收录；
一篇文章的注册费含一位作者的参会费用，将安排做10-15分钟的口头报告；
2、摘要参会（参会 + 摘要 + 报告 ）
投递摘要并参会，安排10-15分钟口头报告；
3、听众参会：无报告仅参会
注：如因特殊情况无法到场参会，可提供海报或录制的报告视频。会后我们将发送照片，并办理发票、邀请函、参会证明、会议期刊、会议证等物资的邮寄。
△. 文章出版
出版物：所有被会议录用的英文稿件将会发表在国际英文开源期刊
检索类型：知网及谷歌学术收录
投稿须知：
1. 如果您只是参加会议作报告，不需要发表文章，请直接投递英文摘要即可。
2. 全文篇幅建议8-10页（按照模板格式，带图和参考文献），超过10页需缴纳超页费。摘要投稿无格式要求，具备标题、内容、关键词、作者信息即可，篇幅建议控制在1页以内，最长不超过2页。
3. 投稿之后3-5个工作日内您会收到审核结果，如逾期未收到邮件通知，请您尽快联系我们。
4. 可投中文稿件，文章题目、摘要，关键词需要中英双语，正文部分为中文（可联系我们索取模板文档）。参会时口头报告/海报张贴必须做英文的。
△. 大会日程（供参考）
2024年12月6日 - 大会签到（发指南、期刊、参会证、餐券等相关物资）
2024年12月7日 - 特邀演讲嘉宾报告
2024年12月8日 - 作者报告及海报展示
该会议征文涉及领域包括（但不限于）：
Complex Oxides
Compound Semiconductors
Device Design and Fabrication
Device Performance and Reliability
Emerging Semiconductor Technologies
Ferromagnetism / Magnetic Semiconductors
High Magnetic Fields / High Pressure in
Semiconductor Physics
Impurities/Defects in Semiconductors
Light Emitting Diodes (LEDs) and Diode Lasers
Novel Semiconductor Devices and Applications
Organic Semiconductors
Photoelectric and Photovoltaic Devices
Physics of Semiconductors
Photophysics & Transient Absorption
Spectroscopy/Measurements
Surface and Interface Physics
Semiconductor Lower Dimensions and Nanostructures
Semiconductor Quantum Dots / Quantum Hall Effects
/ Quantum Information
Semiconductor Materials and Applications /
Semiconductor Processing
Semiconductor Spintronics / Topological Insulators
Semiconductor Detectors
Wide/narrow Band-gap Semiconductors
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