2026年先进半导体、电子器件与集成技术国际会议（IASEDT 2026）

2026年先进半导体、电子器件与集成技术国际会议（IASEDT 2026）

2026 International Conference on Advanced Semiconductors, Electronic Devices and Integrated Technologies（IASEDT 2026）

●重要信息

会议地点：厦门，中国

截稿时间：以官网为准（延期投稿者请联系大会蒋老师咨询）

会议网址：www.global-meetings.com/iasedt

投递邮箱：icamf_info@163.com【投稿请附言：IASEDT 2026+通讯作者姓名+蒋老师推荐】，否则无法确认您的稿件。

接受/拒稿通知：投稿后3个工作日左右。

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【核心期刊&普刊推荐】

● 国际顶刊资源：

1. SCI：涵盖各分区期刊，精准匹配研究方向

2. SSCI/A&HCI：社会科学，艺术人文领域优质刊源

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● 国内核心期刊&普刊：

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●论文收录

所有的投稿都必须经过2-3位组委会专家审稿，经过严格的审稿之后，最终所有录用的论文将以会议论文集形式出版，见刊后提交至Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar检索，目前检索稳定！

●会议简介

2026年先进半导体、电子器件与集成技术国际会议（IASEDT 2026）定于中国厦门举行，本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖，共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料，以及电子器件与集成技术在各类应用中的创新，与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示，深入了解行业动态，分享前沿经验。

●征文主题（以下主题包括但不限于）

主题1.先进半导体

新型半导体材料及其在器件中的应用高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

主题2.电子器件

航天器结构与设计

电路设备和系统

模拟电路和数字电路

电磁和光子学

电子测量

可编程控制器

传感器原理及应用

电力电子和能源系统

电工内线与电气安全

电机与电气控制

电子设计自动化

纳米机电系统

光子学与光电子学

电路和电子学制造工程

主题3.集成技术

三维集成电路及其制造工艺

片上系统(SoC)与集成方法

芯片异构集成技术

封装级集成技术的发展与创新

集成电路中的热管理技术

射频集成电路及其设计优化

人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用

先进模拟与混合信号集成电路

电源管理集成电路技术

集成电路设计中的可靠性与安全挑战

硅光子学互连技术

超大规模集成技术的最新进展

新兴存储器集成技术

模块化MEMS与NEMS的集成应用

智能传感系统的集成与创新

●投稿说明

1.论文应为原创文章且从未公开发表，投稿论文需全英文，请严格按照模板的格式修改文章格式，文章不得少于6页。

2.如需翻译润色服务，请联系会议秘书蒋老师，学生作者或多篇投稿有优惠。

3.作者可通过Turnitin或其他查询系统查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。

4.投稿文章流程：投稿→审稿→录用→缴费→【注册参会】→见刊→论文集→检索。

●参会方式

1.口头报告：参会汇报请与大会秘书联系，提交报告题目及摘要以供审核。（摘要不出版）

2.听众参会：欢迎联系大会秘书完成注册，以听众身份参会。无需提交摘要或海报，可全程聆听会议报告。