2026年集成电路、半导体器件与芯片设计国际会议（ICSDCD 2026）

 2026年集成电路、半导体器件与芯片设计国际会议（ICSDCD 2026）

2026 International Conference on Integrated Circuits, Semiconductor Devices, and Chip Design（ICSDCD 2026）

开会时间：2026年9月26日（暂定）重庆，中国（线上+线下）

一、会议重要信息

截稿时间：2026年8月31日（延期投稿者请咨询会议组江老师）

审核录用：投稿后约3个工作日

会议出版：IEEE、SPIE、ACM等权威出版社

会议收录：EI Compendex, Scopus, CPCI，Google Scholar, CrossRef, ResearchGate等数据库稳定检索

注：投稿文章均将以会议论文集形式正式出版，出版后收录有ISSN和ISBN双刊号。团队及学生投稿享有优惠，具体请咨询会议组江老师。若不投稿，亦欢迎报名参与口头汇报或旁听。如需了解SSCI/SCI期刊、中文核心期刊或三大网省级期刊等其他发表资源，也欢迎联系会议组老师咨询。

二、大会介绍

 2026年集成电路、半导体器件与芯片设计国际会议（ICSDCD 2026）将在中国重庆举行。会议旨在汇聚来自世界各地的学术专家、行业领军人物和研究人员，共同探讨集成电路、半导体器件与芯片设计领域的最新发展与技术创新。本次会议的主题涵盖了模拟/数字/混合信号/射频集成电路设计、半导体器件物理与建模、AI芯片与神经形态计算硬件、面向物联网/边缘计算的低功耗芯片设计等前沿议题。参会者将有机会分享各自的研究成果，深入交流经验与挑战，促进跨学科合作与创新。 诚邀国内外大学和研究机构的专家、学者、商界人士及其他相关人员参加交流。

三、征稿主题

（包括但不限于）：

主题一：集成电路

模拟/数字/混合信号/射频集成电路设计、超大规模集成电路设计与架构、低功耗与能量感知设计、系统级芯片与异构集成、嵌入式与多处理器系统、硬件-软件协同设计与协同验证、片上网络与互连技术、存储器与阵列结构设计、时钟与信号完整性设计、电源管理与电磁兼容设计、光电集成电路与硅光集成设计、专用集成电路与可编程逻辑器件设计、集成电路测试、容错与可靠性设计、设计自动化工具与电子设计自动化方法学；；

主题二：半导体器件

半导体器件物理与建模（FinFET/GAAFET/CFET）、先进逻辑与存储技术（3D NAND/STT-RAM/RRAM/忆阻器）、宽禁带与超宽禁带半导体器件（SiC/GaN/Ga?O?/金刚石）、射频/毫米波/太赫兹半导体器件、功率半导体器件与可靠性物理、半导体制造工艺（光刻/薄膜沉积/刻蚀/掺杂）、工艺集成与良率提升、设计-工艺协同优化、半导体制造数智化转型与智能工厂、半导体器件抗辐照与极端环境可靠性；

主题三：芯片设计

AI芯片与神经形态计算硬件、量子计算芯片与超导集成电路、存算一体与感存算融合芯片、Chiplet与三维/异质异构集成技术、先进封装与系统级封装（SiP）、硅光集成与光电共封装、MEMS/NEMS与智能微系统、硬件安全与物理不可克隆函数、后CMOS与新兴器件技术、生物启发与类脑计算硬件、面向物联网/边缘计算的低功耗芯片设计、半导体器件与芯片的机器学习辅助设计。

四、投稿流程

1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱，我们收到后会第一时间回复您。

2.审稿流程：作者投稿-稿件收到确认（1个工作日）-初审(3个工作日)-告知结果（接受/拒稿），越早投稿越早收到文章结果。

五、投稿说明

1.本会议官方语言为英语，投稿者务必用英语撰写论文。如需翻译服务请联系会议组江老师详询。

2.向ICSDCD 2026提交的所有文章将发送给至少两名评审员，并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。

3.论文应具有学术或实用价值，未在国内外学术期刊或会议发表过。作者可通过CrossCheck,Turnitin或其他查询系统自费查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。

4.文章至少6页。论文模板请至官网下载。学生作者或多篇投稿有优惠。

5.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。

六、参会方式

1、主讲嘉宾：申请主题演讲，由组委会审核；

2、口头演讲：申请口头报告，时间为10分钟左右；（名额有限，优先报名）

3、听众参会：不投稿仅参会旁听；