2026年电子器件、半导体技术与电路系统国际会议(IEDSTC 2026)
2026 International Conference on Electronic Devices, Semiconductor Technology and Circuit Systems(IEDSTC 2026)
●重要信息
截稿时间:2026年11月16日(延期投稿请联系大会蒋老师)
召开时间/地点: 中国 · 无锡 | 2026年12月1日(暂定)
审稿周期:投稿后约3个工作日左右
收录检索:EI Compendex、CPCI、Scopus、CNKI、Google Scholar等数据库稳定检索
核心亮点:ISSN/ISBN双刊号 | 高录用 | 权威出版 | 检索稳定 | 符合评职、毕业、评优等要求 | 学生/团体投稿享优惠
◆◆ 如需发表SCI、SSCI、AHCI、中文核心期刊或国内三大网普刊,国际知网/谷歌普刊等刊物,欢迎咨询会务蒋老师,提供全品类精准匹配服务!
●论文收录
所有投稿均须经过2-3位组委会专家审稿。录用论文将统一提交IEEE、Springer、SPIE、ACM、IOP等权威出版社,以会议论文集形式安排出版,见刊后提交至Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar检索,目前检索稳定。
●会议简介
2026年电子器件、半导体技术与电路系统国际会议(IEDSTC 2026)将于中国无锡举办,本次大会主要围绕半导体器件、先进芯片工艺、集成电路设计、电路系统集成、微电子可靠性及相关交叉前沿方向,致力于搭建海内外高校、科研院所与半导体产业的国际交流平台。会议面向全球征集领域内高质量研究成果,深入研讨行业技术瓶颈与未来发展机遇,推动基础理论、工艺技术与工程应用深度融合。本次盛会汇聚国内外学者与工程技术专家开展学术交流,助力领域成果共享与产学研协同创新,热忱欢迎相关领域专家、科研工作者及青年学者踊跃投稿参会。
●征文主题(以下主题包括但不限于)
Track 1:电子器件
MOSFET、FinFET、GAA 等先进晶体管器件
功率半导体器件(IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT)
存储器件:闪存、MRAM、ReRAM、PCRAM
光电子器件:LED、激光器、光电探测器、光调制器
传感器器件:MEMS 传感器、生物传感器、气体传感器
柔性与可拉伸电子器件
二维材料基电子器件
射频微波器件与毫米波器件
量子器件与单电子器件
薄膜晶体管(TFT)器件
光伏器件与光电能量转换器件
器件可靠性、老化机理与失效分析
辐射效应与抗辐照电子器件
纳电子器件与纳米尺度器件物理
显示器件与微显示芯片器件
热电能量采集器件
Track 2:半导体材料
硅基半导体材料与硅外延技术
第三代半导体材料:碳化硅、氮化镓、氧化镓
二维半导体材料:石墨烯、MoS?、h-BN 等
半导体薄膜材料与沉积工艺(CVD、PVD、ALD)
半导体光刻胶、掩膜与光刻配套材料
半导体掺杂、离子注入与活化技术
金属化、介质层与低 k / 高 k 介电材料
有机半导体材料
半导体单晶生长与缺陷控制
半导体材料表征与测试分析技术
宽禁带、超宽禁带半导体材料
半导体封装材料:塑封料、导热材料、基板材料
纳米半导体材料与量子点材料
半导体腐蚀、清洗与表面处理材料
Track 3:电路系统
模拟集成电路与射频集成电路设计
数字集成电路、低功耗 VLSI 与 SoC 系统
电源管理集成电路与功率集成电路
存算一体电路与神经形态芯片电路
高速接口电路与串行通信电路
传感器读出电路与信号调理电路
FPGA/ASIC 架构设计与验证
毫米波 / 微波前端电路系统
集成电路版图、时序分析与物理设计
集成电路测试、可测性设计与故障诊断
嵌入式系统与片上网络 NoC
硬件安全、芯片侧信道防护
电源分配网络与电磁兼容设计
集成电路热设计与可靠性电路设计
混合信号电路与数模混合系统
车载芯片电路与汽车电子系统
集成电路封装测试系统与板级电路设计
人工智能芯片架构与加速器电路
物联网终端电路与低功耗传感系统
光电集成芯片电路与光子集成电路系统
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●投稿须知
1.会议官方语言为英语,请严格按模板格式排版,文章页数不少于6页。
2.如需翻译或润色服务,可联系会务蒋老师。
3.学生作者或多篇投稿可享注册优惠。
4.论文须为原创且未公开发表,禁止抄袭、一稿多投。投稿前请自行通过Turnitin查重,重复率过高导致的拒稿由作者自负,抄袭行为不予出版。
5.投稿流程:投稿→审稿→录用→缴费→注册参会→见刊→检索。
●参会方式
1.主讲嘉宾:申请主题演讲,由会务组审核。
2.口头演讲:申请口头报告,时间为10分钟左右。(参会名额有限,优先报名)
3.听众参会:不投稿仅参会,可旁听学习。