① 双一流&211重点大学江南大学主办、地方学会支持
② 重磅嘉宾 IEEE Fellow 等知名专家莅临
③ 已签约IEEE独立出版! 见刊后稳定实现IEEE Xplore, EI, SCOPUS检索
【会议亮点】
① 双一流&211重点大学江南大学主办、地方学会支持
② 重磅嘉宾 IEEE Fellow 等知名专家莅临
③ 已签约IEEE独立出版! 见刊后稳定实现IEEE Xplore, EI, SCOPUS检索
【重要信息】
会议官网:www.asdit.org(更多详情)
会议时间:2025年9月19-21日
会议地点:江苏无锡
截稿时间:以官网信息为准(早投稿、早审核、早录用)
接受/拒稿通知:投稿后1-2
收录检索:IEEE Xplore、EI Compendex,Scopus
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【大会简介】
2025年先进半导体器件与集成技术国际学术会议将于2025年9月19-21日在中国江苏无锡举办。本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖,共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新,包括人工智能、量子计算和5G通信等前沿科技。与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示,深入了解行业动态,分享前沿经验。
我们诚邀全球的专家学者参与此次盛会,共同推动半导体技术的进步与发展。期待与您相聚无锡,共同探索未来科技的无限可能!
【组织单位】
主办单位:江南大学
协办单位:江南大学集成电路学院、江南大学理学院、无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室
支持单位:无锡市集成电路学会
【大会组委】
大会主席
敖金平教授,江南大学,IEEE高级会员
顾晓峰教授,江南大学,集成电路学院院长
杨国锋教授,江南大学,理学院院长,IEEE会员
技术程序委员会主席
余建军教授,复旦大学,IEEE Fellow
徐骏教授,南通大学,副校长
刘学峰教授,南京理工大学,IEEE高级会员
李杨副教授,江南大学
出版主席
姜岩峰教授,江南大学,IEEE高级会员
刘璋成副教授,江南大学
陈辉副教授,南京航空航天大学,IEEE会员
寇君龙副教授,南京大学,IEEE会员
当地委员会主席
王霄副教授,江南大学,IEEE会员
周久人教授,西安电子科技大学,IEEE Member
【征稿主题】
半导体器件 | 集成技术 |
新型半导体材料及其在器件中的应用
高性能MOSFET设计与优化 能耗效率优化的功率器件技术 超越硅的III-V族化合物半导体器件 微光电半导体传感器及其应用 半导体激光器及其新兴应用领域 石墨烯和其他二维材料器件 量子点和量子阱半导体器件 新型存储器器件:RRAM, MRAM, FeRAM 低温电子器件的挑战与机遇 高频和高功率器件的突破性技术 硅基光电子器件及其集成技术 隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究 半导体器件的可靠性与老化机制 先进封装和互连结构对器件性能的影响 |
三维集成电路及其制造工艺 片上系统(SoC)与集成方法 芯片异构集成技术 封装级集成技术的发展与创新 集成电路中的热管理技术 射频集成电路及其设计优化 人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用 先进模拟与混合信号集成电路 电源管理集成电路技术 集成电路设计中的可靠性与安全挑战 硅光子学互连技术 超大规模集成技术的最新进展 新兴存储器集成技术 模块化MEMS与NEMS的集成应用 智能传感系统的集成与创新 |
其他主题均可投稿
【论文出版】
文章先经2-3位专家盲审,录用的文章将会被递交给IEEE(ISBN:979-8-3315-9671-2)出版,并提交 EI, Scopus 检索。
◆论文不得少于4页。会议论文模板下载
◆作者可通过iThenticate(限时优惠)或其他查询体统自费查重,否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版,且公布在会议主页。
◆文章需原创且未曾发表过。
◆会议仅接受全英稿件。如需翻译服务,请点击【艾思编译】
【参会方式】
1、作者参会:录用文章需要派至少一位作者免费参会并进行现场口头报告;
2、口头演讲:申请口头报告,时间为10分钟;
3、海报展示:申请海报展示,A1尺寸;
4、听众参会:不投稿仅参会,也可申请演讲及展示。
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