2025年先进半导体器件与集成技术国际学术会议(ASDIT 2025)

2025/9/19-2025/9/21

无锡市

【会议亮点】

① 双一流&211重点大学江南大学主办、地方学会支持

② 重磅嘉宾 IEEE Fellow 等知名专家莅临

③ 已签约IEEE独立出版! 见刊后稳定实现IEEE Xplore, EI, SCOPUS检索

【重要信息】

会议官网：www.asdit.org（更多详情）

会议时间：2025年9月19-21日

会议地点：江苏无锡

截稿时间：以官网信息为准（早投稿、早审核、早录用）

接受/拒稿通知：投稿后1-2

收录检索：IEEE Xplore、EI Compendex，Scopus

更多学术会议信息、团队参会/团队投稿优惠，欢迎咨询会议秘书！

【大会简介】

2025年先进半导体器件与集成技术国际学术会议将于2025年9月19-21日在中国江苏无锡举办。本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖，共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新，包括人工智能、量子计算和5G通信等前沿科技。与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示，深入了解行业动态，分享前沿经验。

我们诚邀全球的专家学者参与此次盛会，共同推动半导体技术的进步与发展。期待与您相聚无锡，共同探索未来科技的无限可能！

【组织单位】

主办单位：江南大学

协办单位：江南大学集成电路学院、江南大学理学院、无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室

支持单位：无锡市集成电路学会

【大会组委】

大会主席

敖金平教授，江南大学，IEEE高级会员

顾晓峰教授，江南大学，集成电路学院院长

杨国锋教授，江南大学，理学院院长，IEEE会员

技术程序委员会主席

余建军教授，复旦大学，IEEE Fellow

徐骏教授，南通大学，副校长

刘学峰教授，南京理工大学，IEEE高级会员

李杨副教授，江南大学

出版主席

姜岩峰教授，江南大学，IEEE高级会员

刘璋成副教授，江南大学

陈辉副教授，南京航空航天大学，IEEE会员

寇君龙副教授，南京大学，IEEE会员

当地委员会主席

王霄副教授，江南大学，IEEE会员

周久人教授，西安电子科技大学，IEEE Member

【征稿主题】

半导体器件

集成技术

新型半导体材料及其在器件中的应用

高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

三维集成电路及其制造工艺

片上系统(SoC)与集成方法

芯片异构集成技术

封装级集成技术的发展与创新

集成电路中的热管理技术

射频集成电路及其设计优化

人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用

先进模拟与混合信号集成电路

电源管理集成电路技术

集成电路设计中的可靠性与安全挑战

硅光子学互连技术

超大规模集成技术的最新进展

新兴存储器集成技术

模块化MEMS与NEMS的集成应用

智能传感系统的集成与创新

其他主题均可投稿

【论文出版】

文章先经2-3位专家盲审，录用的文章将会被递交给IEEE(ISBN:979-8-3315-9671-2)出版，并提交 EI, Scopus 检索。

◆论文不得少于4页。会议论文模板下载

◆作者可通过iThenticate（限时优惠）或其他查询体统自费查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版，且公布在会议主页。

◆文章需原创且未曾发表过。

◆会议仅接受全英稿件。如需翻译服务，请点击【艾思编译】

【参会方式】

1、作者参会：录用文章需要派至少一位作者免费参会并进行现场口头报告；

2、口头演讲：申请口头报告，时间为10分钟；

3、海报展示：申请海报展示，A1尺寸；

4、听众参会：不投稿仅参会，也可申请演讲及展示。