2026年先进电子技术、半导体器件和电路国际会议(AETSDC 2026)
发布时间:2026/03/26
2026年先进电子技术、半导体器件和电路国际会议(AETSDC 2026)
2026 International Conference on Advanced Electronic Technology, Semiconductor Devices, and Circuits(AETSDC 2026)
●会议信息
截稿时间:以官网为准(延期投稿者请联系大会老师咨询)
网址:www.confs-online.com/aetsdc
邮箱:gjhy_ei_cpci@126.com
投稿主题请注明: AETSDC 2026+通讯作者姓名+唐老师推荐(备注可享优先审稿和投稿优惠)
接受/拒稿:投稿后3个工作日内
●会议简介
2026年先进电子技术、半导体器件和电路国际会议(AETSDC 2026)定在中国武汉举行。旨在为先进电子技术、半导体器件和电路领域的科研学者、技术人员及相关人员提供一个共享科研成果和前沿技术,了解学术发展趋势,拓宽研究思路,加强学术研究和探讨,促进学术成果产业化合作的平台。大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者,企业界人士及其他相关人员参会交流。
●参会方式
1、全文参会(参会+全文发表+报告)
投递全文并参会,录用注册的文章发表在会议论文集上,提交EI Compendex、CPCI、Scopus、CNKI、Google Scholar等收录;
一篇文章的注册费含一位作者的参会(旁听)费用,如需汇报需准备10分钟左右的演讲及PPT;
2、摘要参会(参会+摘要+报告)
投递摘要并参会,安排10分钟左右口头报告;
3、听众参会:无报告仅参会
注:会后我们将开具发票、邀请函、参会证明等材料并发送给参会人员。
●文章出版
出版物:所有被会议录用的英文稿件将会发表在会议论文集上, 更多详情请与我们联系(手机/微信:17168296597)。
收录检索:EI Compendex、CPCI、Scopus、CNKI、Google Scholar等。
●投稿说明
1)稿件必须用英文书写,图片、表格、公式中不允许有外文出现;
2)稿件应按照模板标准排版且不少于6页;
3)论文应为原创且从未公开出版的,投稿内容应与主题相关,且有深度性,有创新性;
4)禁止抄袭;
5)禁止一稿多投。
●征文主题
(主题包括但不限于)
主题一:先进电子技术
集成电路设计与系统
电子器件与集成
新型存储器技术
先进传感器技术
太赫兹技术
通信技术
先进显示技术
电子成像技术
光电子集成
仿生电子系统
半导体材料与器件
电子材料、器件与系统
物联网和车联网
主题二:半导体器件
新型半导体材料及其在器件中的应用
高性能MOSFET设计与优化
能耗效率优化的功率器件技术
超越硅的III-V族化合物半导体器件
微光电半导体传感器及其应用
半导体激光器及其新兴应用领域
石墨烯和其他二维材料器件
量子点和量子阱半导体器件
新型存储器器件:RRAM, MRAM, FeRAM
低温电子器件的挑战与机遇
高频和高功率器件的突破性技术
硅基光电子器件及其集成技术
隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究
半导体器件的可靠性与老化机制
先进封装和互连结构对器件性能的影响
主题三:半导体器件和电路
无线系统的器件和电路
低功耗、射频器件和电路
硅/锗器件和器件物理
复合半导体器件和电路
非传统和纳米电子学
有机半导体器件和技术
光子学和光电子学
●联系方式
会议官网:www.confs-online.com/aetsdc
邮箱:gjhy_ei_cpci@126.com(备注唐老师推荐享优先审稿和投稿优惠)
投稿主题请注明: AETSDC 2026+通讯作者姓名(否则无法确认您的稿件)
电话咨询:17168296597(微信同号)
QQ咨询:3264234551
(您将在第一时间得到回复,添加时请备注“AETSDC 2026”)
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