2026年电子材料与半导体器件国际会议（ICEMSD 2026）

2026 International Conference on Electronic Materials and Semiconductor Devices（ICEMSD 2026）

开会时间：2026年9月4日（暂定）厦门，中国（线上+线下）

一、会议重要信息

截稿时间：2026年8月14日（延期投稿者请咨询会议组江老师）

审核录用：投稿后约3个工作日

会议出版：IEEE、SPIE、ACM等权威出版社

会议收录：EI Compendex, Scopus, CPCI，Google Scholar, CrossRef, ResearchGate等数据库稳定检索

注：投稿文章均将以会议论文集形式正式出版，出版后收录有ISSN和ISBN双刊号。团队及学生投稿享有优惠，具体请咨询会议组江老师。若不投稿，亦欢迎报名参与口头汇报或旁听。如需了解SSCI/SCI期刊、中文核心期刊或三大网省级期刊等其他发表资源，也欢迎联系会议组老师咨询。

二、大会介绍

2026年电子材料与半导体器件国际会议（ICEMSD 2026）定在中国厦门举行。大会面向基础与前沿、学科与产业，建立起前沿的学术交流平台，将汇聚国内外专家、学者和企业界优秀人才，围绕着纳米电子器件、功率半导体器件、半导体材料生长与制备、宽/窄禁带半导体材料、热电材料与能源转换材料、半导体器件物理与建模、载流子输运与散射机制等前沿领域，探究学术界和产业界面临的机遇与挑战，以期推动相关研究与应用的发展，推进学科发展和促进人才培养。大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者，企业界人士及其他相关人员参会交流。

三、征稿主题

（包括但不限于）：

主题一：电子材料

半导体材料生长与制备

宽/窄禁带半导体材料

化合物半导体（III-V族、II-VI族）

低维材料（二维材料、纳米线、量子点）

氧化物半导体材料

有机半导体与柔性电子材料

磁性半导体与自旋电子材料

热电材料与能源转换材料

光电材料与发光材料

介电/铁电/压电材料

超导材料与应用

电子封装与互联材料

高频电子材料与器件应用

主题二：半导体器件

半导体器件物理与建模

载流子输运与散射机制

能带工程与异质结构

量子效应与量子器件

半导体表面与界面物理

器件可靠性物理与退化机制

半导体缺陷与深能级

热效应与自热效应

高频/高压器件物理

低温/极端环境器件物理

辐照效应与加固技术

器件噪声与涨落现象

纳米电子器件

功率半导体器件

高频/射频器件

光电器件（LED/激光器/探测器）

传感器件与MEMS/NEMS

存储器件（RRAM/MRAM/FeRAM/PCM）

量子器件与量子计算

单电子晶体管

隧穿场效应晶体管

负电容晶体管

自旋电子器件

神经形态器件与类脑计算

宽禁带半导体器件（SiC/GaN/Ga?O?）

有机半导体器件等

四、投稿流程

1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱，我们收到后会第一时间回复您。

2.审稿流程：作者投稿-稿件收到确认（1个工作日）-初审(1-3工作日)-告知结果（接受/拒稿），越早投稿越早收到文章结果。

五、投稿说明

1.本会议官方语言为英语，投稿者务必用英语撰写论文。如需翻译服务请联系会议组江老师详询。

2.向ICEMSD 2026提交的所有文章将发送给至少两名评审员，并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。

3.论文应具有学术或实用价值，未在国内外学术期刊或会议发表过。作者可通过CrossCheck,Turnitin或其他查询系统自费查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。

4.文章至少6页。论文模板请至官网下载。学生作者或多篇投稿有优惠。

5.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。

六、参会方式

1、主讲嘉宾：申请主题演讲，由组委会审核；

2、口头演讲：申请口头报告，时间为10分钟左右；（名额有限，优先报名）

3、听众参会：不投稿仅参会旁听；

七、联系方式