2026年电子材料与半导体器件国际会议(ICEMSD 2026)
发布时间:2026/04/02
2026年电子材料与半导体器件国际会议(ICEMSD 2026)
2026 International Conference on Electronic Materials and Semiconductor Devices(ICEMSD 2026)
开会时间:2026年5月4日(暂定)厦门,中国(线上+线下)
一、会议重要信息
会议官网:www.confs-online.com/icemsd
截稿时间:2026年4月14日(延期投稿者请咨询会议组江老师)
投稿邮箱:confsinfo_paper@126.com(投稿主题请注明:ICEMSD 2026+通讯作者姓名+江老师推荐,否则无法确认您的稿件)
审核录用:投稿后约3个工作日
会议出版:IEEE、SPIE、ACM等权威出版社
会议收录:EI Compendex, Scopus, CPCI,Google Scholar, CrossRef, ResearchGate等数据库稳定检索
注:投稿文章均将以会议论文集形式正式出版,出版后收录有ISSN和ISBN双刊号。团队及学生投稿享有优惠,具体请咨询会议组江老师。若不投稿,亦欢迎报名参与口头汇报或旁听。如需了解SSCI/SCI期刊、中文核心期刊或三大网省级期刊等其他发表资源,也欢迎联系会议组老师咨询。
二、大会介绍
2026年电子材料与半导体器件国际会议(ICEMSD 2026)定在中国厦门举行。大会面向基础与前沿、学科与产业,建立起前沿的学术交流平台,将汇聚国内外专家、学者和企业界优秀人才,围绕着纳米电子器件、功率半导体器件、半导体材料生长与制备、宽/窄禁带半导体材料、热电材料与能源转换材料、半导体器件物理与建模、载流子输运与散射机制等前沿领域,探究学术界和产业界面临的机遇与挑战,以期推动相关研究与应用的发展,推进学科发展和促进人才培养。大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者,企业界人士及其他相关人员参会交流。
三、征稿主题
(包括但不限于):
主题一:电子材料
半导体材料生长与制备
宽/窄禁带半导体材料
化合物半导体(III-V族、II-VI族)
低维材料(二维材料、纳米线、量子点)
氧化物半导体材料
有机半导体与柔性电子材料
磁性半导体与自旋电子材料
热电材料与能源转换材料
光电材料与发光材料
介电/铁电/压电材料
超导材料与应用
电子封装与互联材料
高频电子材料与器件应用
主题二:半导体器件
半导体器件物理与建模
载流子输运与散射机制
能带工程与异质结构
量子效应与量子器件
半导体表面与界面物理
器件可靠性物理与退化机制
半导体缺陷与深能级
热效应与自热效应
高频/高压器件物理
低温/极端环境器件物理
辐照效应与加固技术
器件噪声与涨落现象
纳米电子器件
功率半导体器件
高频/射频器件
光电器件(LED/激光器/探测器)
传感器件与MEMS/NEMS
存储器件(RRAM/MRAM/FeRAM/PCM)
量子器件与量子计算
单电子晶体管
隧穿场效应晶体管
负电容晶体管
自旋电子器件
神经形态器件与类脑计算
宽禁带半导体器件(SiC/GaN/Ga?O?)
有机半导体器件等
四、投稿流程
1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱,我们收到后会第一时间回复您。
投稿邮箱:confsinfo_paper@126.com(投稿主题请注明:ICEMSD 2026+通讯作者姓名+江老师推荐,否则无法确认您的稿件)
2.审稿流程:作者投稿-稿件收到确认(1个工作日)-初审(1-3工作日)-告知结果(接受/拒稿),越早投稿越早收到文章结果。
五、投稿说明
1.本会议官方语言为英语,投稿者务必用英语撰写论文。如需翻译服务请联系会议组江老师详询。
2.向ICEMSD 2026提交的所有文章将发送给至少两名评审员,并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。
3.论文应具有学术或实用价值,未在国内外学术期刊或会议发表过。作者可通过CrossCheck,Turnitin或其他查询系统自费查重,否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。
4.文章至少6页。论文模板请至官网下载。学生作者或多篇投稿有优惠。
5.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。
六、参会方式
1、主讲嘉宾:申请主题演讲,由组委会审核;
2、口头演讲:申请口头报告,时间为10分钟左右;(名额有限,优先报名)
3、听众参会:不投稿仅参会旁听;
七、联系方式
会议官网:www.confs-online.com/icemsd
电话咨询:17162867270(微信同号)QQ咨询:3896770362
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