黑体; mso-bidi-font-family:'Times New Roman';mso-ansi-font-weight:bold;font-size:14.0000pt; mso-font-kerning:1.0000pt;">

请登录会议官网，完成注册报名：

https://apcscrm2025.casconf.cn

 

 

参会费用

 

 

付款方式

(1) 会议官网：

参会代表在网站首页点击“报名参会”进行登录，登录后点击左侧导航栏“个人订单”选择对应的注册类型，选择微信、支付宝、银行卡，完成在线付款。

(2) “公对公”银行转账：

账户信息：

户  名：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

开户行：北京农商银行北臧村支行

账  号：0905000103000006397

*转账时请备注“APCSCRM+姓名”，并将付款回单发送至apcscrm@iawbs.com。

(3) 会议现场：

会议现场可通过银行卡、微信、支付宝支付。

(4) 发票领取：

本次大会提供电子增值税普通发票，名目为“会议费”。

*注：发票信息均按注册时填写内容开具，信息如有更改请及时说明。

 

关于APCSCRM

作为宽禁带半导体领域的重要国际交流平台，亚太碳化硅及相关材料国际会议（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials, APCSCRM）自2018年在中国北京举办首届会议以来，已成功举办五届。会议累计吸引近4000位来自中、欧、美、日、韩等十余个国家和地区的权威代表参与，汇聚超1000家企业力量，发布300余篇专业报告。经过多年发展，APCSCRM已成为亚太地区宽禁带半导体领域兼具产业深度与学术高度的专业论坛之一，获得了社会各界的广泛认可和支持。

 

往届大会主席

 

 

往届精彩瞬间

 

会务联系

商务合作：

陈老师/13155757628

报名参会：

周老师/17854177403

刘老师/18931699592

,

当前，以SiC、GaN、Ga₂O₃、AlN和金刚石为代表的宽禁带半导体材料正迎来产业化突破的关键期。随着8英寸SiC衬底量产工艺的突破，碳化硅器件在新能源汽车800V高压平台和光伏逆变器领域实现规模化应用；GaN技术则从消费电子快充市场成功突围，逐步渗透至数据中心电源、5G基站及车载充电系统等工业级场景。与此同时，Ga₂O₃和金刚石半导体凭借其突破性的材料特性，在超高压电力电子和深紫外光电领域崭露头角，为下一代功率器件奠定基础；AlN材料也因其卓越的导热和射频性能，在5G通信和深紫外传感领域取得关键技术突破。从电动汽车的电驱系统到智能电网的能源管理，从5G基站的射频模块到卫星通信的电力系统，宽禁带半导体正在重塑多个关键产业的技术格局。

为推动宽禁带半导体技术创新与产业应用深度融合，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）将于2025年11月25日-27日在河南郑州盛大召开。会议将以“芯联新世界，智启源未来（Wide Bandgap, Wider Future）”为主题，聚焦宽禁带半导体全产业链创新，涵盖装备、材料、器件、封测、终端应用等关键技术环节，深入探讨其在电力电子、新能源、通信技术、智能交通等领域的产业化应用前景。

会议将通过国际青年论坛，主题演讲，海报展示以及专业展区等多元化的活动形式，与来自全球产业链上下游的领军企业代表、顶尖高校及科研院所的权威专家学者，以及知名投资机构代表，共同发掘未来市场的增量机遇，致力于构建一个开放、协同、共赢的产业创新生态。

立足中原，放眼全球。我们诚邀业内同仁共赴这场科技盛会，以创新为引领，以应用为导向，共同探索宽禁带半导体技术的无限可能，携手推动产业向更高效、更绿色、更智能的未来迈进！

具体会议内容如下：

 

会议信息

会议名称

“芯联新世界，智启源未来”——第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）

时间地点

时间：2025年11月25日-27日

地点：中国·河南省郑州市·中原国际会展中心

会议网址

https://apcscrm2025.casconf.cn

文末点击“阅读原文”进入官网获取更多信息

组织机构

主办单位：

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

中国科学院物理研究所

承办单位：

河南联合精密材料股份有限公司

北京天科合达半导体股份有限公司

 

会议安排

会议议题

材料生长与加工

 

材料缺陷与表征

 

装备设计、工艺和特性

 

器件设计、工艺和测试

 

器件、模块封装、可靠性及其应用

 

更多会议主题...

 

前沿科研成果征集

我们诚挚面向国内外高校、科研院所和企事业单位的专业技术人员，特别是广大富有活力的青年科研力量（包括博士生、博士后、青年教师及青年研发工程师），征集优秀成果。

我们期待您近一年内正式发表的，围绕宽禁带半导体（SiC, GaN, Ga₂O₃, AlN, 金刚石等）领域，在理论或应用实践上具有创新价值的前沿成果。

 

征集范围

包括但不限于：

材料与生长：晶体与外延生长、新型生长技术、基础材料研究、材料加工技术等。

缺陷和表征：材料特性、缺陷控制技术、表征技术等。

装备设计、工艺和特性

器件设计、工艺和测试：器件工艺及设计、新型器件和特性、建模和仿真、新型测试和表征技术等。

封装与可靠性及其应用

 

成果形式

已发表的学术论文、专利、专著、检测方法、技术报告、产品原型等。

 

征稿要求

1、成果需具备原创性、先进性和实用性，具有重要学术或应用推广价值。

2、不存在知识产权争议或其它法律纠纷，不涉及国家秘密。

3、请按要求填写中英双语成果征集表（见官网）。

4、投稿截止日期：2025年11月5日

5、请将填写好的征集表发送至邮箱：mishuchu@iawbs.com，邮件标题请注明“姓名+单位+APCSCRM 2025科研成果征集”。

 

成果联动

本次征集的优秀成果将与“第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）”形成直接联动。投稿并参与论坛，即有机会在高水平国际舞台上海报展示您的研究，角逐优秀成果奖项，更有机会在会议同期论坛“宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛”进行口头报告，获得业界顶级关注。联盟将通过多平台全面推广优秀成果，显著提升其行业影响力，并为具备产业化潜力的项目积极搭建对接通道，加速科技成果转化。同时，参与此次国际盛会还可与海内外顶尖专家及企业同行深入交流，拓展研究与职业发展的新视野。

 

商务合作

展位赞助

展位图

 

单项赞助

 

套餐赞助

参会报名

报名方式 来源/发布：https://mp.weixin.qq.com/s/wjPOtBnKy1tDuX7iEnPsAQ