2026核技术、半导体与应用材料国际会议(ICNTSAM 2026)
发布时间:2026/04/13
2026核技术、半导体与应用材料国际会议(ICNTSAM 2026)
2026 International Conference on Nuclear Technology, Semiconductors, and Applied Materials(ICNTSAM 2026)
征稿主题范围广 | 高效审核 | 录用率高
ISSN/ISBN双刊号 | 团队/学生投稿优惠
SCI/SSCI/EI国外核心期刊资源推荐
国内核心、三大网普刊等其他发表资源
●重要信息
会议网址:www.confs-online.com/icntsam
会议地点:大连,中国
会议截稿时间:2026年5月17日
会议召开时间:2026年6月02日(暂定)
截稿时间:以官网信息为准(早投稿、早审核、早录用)
投递邮箱:icsdem_info@126.com【邮件主题请附言:ICNTSAM 2026+通讯作者姓名+叶老师推荐】,否则无法确认您的稿件
接受/拒稿通知:投稿后3-5天左右
会议出版:IEEE、SPIE、IOP等权威出版社
会议收录:EI , CPCI,Google Scholar, CrossRef, ResearchGate等数据库稳定检索
●会议简介
2026核技术、半导体与应用材料国际会议将于2026年在中国大连召开。本会议旨在为从事核技术、半导体与应用材料的专家学者、工程技术人员、技术研发人员提供一个共享科研成果和前沿技术,了解学术发展趋势,拓宽研究思路,加强学术研究和探讨,促进学术成果产业化合作的平台。为增强会议的学术深度和广度,会议将邀请多位高水平专家加入,与会者将在会议期间分享研究成果和思想,探讨当前领域的前沿问题,推动学术界和产业界之间的深入交流与合作。大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者,企业界人士及其他相关人员参会交流。欢迎海内外学者投稿和参会!
●论文收录
所有向ICNTSAM 2026提交的所有投稿都均以全英文书写,稿件须经过2-3位组委会专家审稿,经过严格的审稿之后,最终所有被接受的论文将以会议论文集形式发表,并提交 EI 、CPCI、Google Scholar、CrossRef、ResearchGate 进行索引
●征文主题
(以下主题包括但不限于)
主题一:核技术
核靿乖分析技术
核成像技术
核性质
核反应
反应堆
加速器
辐射源
核辐射探测器
辐射加工
核成像技术
核分析技术
核农学
核电站
(工业)核检测
核医学
同位素地质学
原子弹
核武器
核能
辐射技术
核能源
热工
核动力
主题二:半导体
极紫外光刻(EUV)技术
3D集成电路及其制造工艺
先进封装与测试技术
半导体制造工艺优化与自动化
新型半导体材料(如碳化硅、氮化镓和二维材料)
先进CMOS技术
高效功率半导体器件
纳米尺度电子器件
主题三:应用材料
有色金属材料
先进复合材料
粉末冶金材料
电子信息材料
材料基因工程
集成计算材料工程
功能材料与器件
新能源与催化材料
先进陶瓷与涂层材料
新材料的研究与开发
●投稿方式
1.直接将您的文章(以word文档形式),投至组委会邮箱
投递邮箱:icsdem_info@126.com(邮件主题请附言:ICNTSAM 2026+通讯作者姓名+叶老师推荐),如需翻译,请联系大会叶老师!
2.审稿流程:作者投稿-稿件收到确认(1个工作日)-初审(1-3工作日)-告知结果(接受/拒稿),越早投稿越早收到文章结果。
●投稿说明
1.本会议官方语言为英语,投稿者务必用英语撰写论文。
2.稿件需为原创且未曾发表过,不接受一稿多投。
3.作者可通过Turnitin等查询系统查重。涉嫌抄袭的论文将不被出版。
4.文章至少6页,请根据格式模板文件编辑您的文章。学生或团队多篇投稿有优惠。
5.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。
6.投稿请附言:ICNTSAM 2026+通讯作者姓名+叶老师推荐,否则无法确认您的稿件。
联系方式:
会议官网:www.confs-online.com/icntsam
投稿邮箱:icsdem_info@126.com(备注:会议名+姓名)
大会秘书:叶老师
手机/微信:17162862552
QQ:3928825776
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