图 窄谱带发光材料的分子结构及其OLED器件性能

　　在国家自然科学基金项目（批准号：52130308、91433201、91833304、51125013）等资助下，深圳大学杨楚罗教授团队在窄谱带OLED研究领域取得进展，相关成果以“含硒热活化延迟荧光材料及其高效率、低效率滚降有机电致发光器件（Efficient selenium-integrated TADF OLEDs with reduced roll-off）”为题，于2022年10月14日在线发表于《自然·光子学》（Nature Photonics）杂志。论文链接：https://doi.org/10.1038/s41566-022-01083-y。

　　近几年，多重共振型热活化延迟荧光（MR-TADF）材料因其具有窄谱带发射的特性，在高清显示上具有巨大的应用潜力。然而，多重共振型TADF材料的反向系间窜跃速率（kRISC）一般较慢，从而导致发光器件在高亮度下效率发生急剧衰减，这使得相应的OLED器件难以兼具高效率、高色纯度和低滚降等优势。

　　为了解决效率滚降的关键难题，深圳大学杨楚罗教授团队将非金属重原子硒元素嵌入多重共振骨架中合成了BNSeSe，利用重原子效应增强材料单、三线态（S1和T1）轨道之间的耦合作用，从而实现极高的kRISC（2.0  × 10⁶ s^-1）和光致发光量子效率（100%）。将BNSeSe用作发光层客体材料制备的蒸镀型OLED器件外量子效率高达36.8%，其效率滚降得到有效抑制，在1000 cd m^-2亮度下外量子效率为34%，即使是在10000 cd m^-2亮度下外量子效率仍高达21.9%，可以媲美铱、铂等磷光材料器件。进一步，他们首次将多重共振型TADF材料用作敏化剂制备了超荧光OLED器件，该器件最大外量子效率为40.5%，在1000 cd m^-2亮度下外量子效率为32.4%，即使是在10000 cd m^-2亮度下外量子效率仍高达23.3%，最大功率效率超过200 lm W^-1，最大亮度接近200000 cd m^-2。这一工作为解决MR-TADF电致发光器件的效率滚降问题提供了新的思路和有效途径，在高清显示上具有很好的应用前景（图）。