2025年微电子学、物理与半导体器件国际会议(IMPSD 2025)
发布时间:2025/08/12
2025年微电子学、物理与半导体器件国际会议(IMPSD 2025)
2025 International Conference on Microelectronics, Physics and Semiconductor Devices(IMPSD 2025)
●重要信息
会议官网:www.confs-online.com/impsd
截稿时间:以官网为准(早投稿、早审核、早录用)
会议地点:福州,中国
投递邮箱:icramd_info@163.com【投稿请附言:IMPSD 2025+通讯作者姓名+蒋老师推荐】,否则无法确认您的稿件。
接受/拒稿通知:投稿后3个工作日左右。
*高录用,权威出版!超稳检索!
更多学术信息,团队/学生投稿专属优惠,欢迎咨询会议秘书蒋老师:15680824672(微信同号)
【核心期刊&普刊推荐】
国际顶刊资源:
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●论文收录
所有的投稿都必须经过2-3位组委会专家审稿,经过严格的审稿之后,最终所有录用的论文将以会议论文集形式出版,见刊后提交至Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar检索,目前检索稳定!
2025年微电子学、物理与半导体器件国际会议(IMPSD 2025)定于中国福州举行,大会旨在汇聚来自世界各地的学者、研究人员和行业专家,共同探讨“微电子学、物理与半导体器件”等领域的最新研究成果和应用前景。会议将为与会者提供一个高水平的交流平台,促进跨学科合作与知识分享。
●征文主题(以下主题包括但不限于)
Track 1:微电子学
微电子科学与工程
集成电路工程
固体电子学与微电子学
微电子技术
电子信息科学与技术
通信工程
物理学
固体物理
半导体器件物理
集成电路
电路与系统
电子科学与技术
微电子和固体电子学
电子与集成电路
模拟与数字通信
Track 2:物理
力学与理论力学
量子物理学
光学与激光物理
光子系统中的量子力学原理
半导体物理
二维材料的物理性质与应用
强激光与等离子体物理
非平衡态统计物理和量子热机
大规模模拟和机器学习在物理中的应用
固体物理
Track 3:半导体器件
新型半导体材料及其在器件中的应用
高性能MOSFET设计与优化
能耗效率优化的功率器件技术
超越硅的III-V族化合物半导体器件
微光电半导体传感器及其应用
半导体激光器及其新兴应用领域
石墨烯和其他二维材料器件
量子点和量子阱半导体器件
新型存储器器件:RRAM, MRAM, FeRAM
低温电子器件的挑战与机遇
高频和高功率器件的突破性技术
硅基光电子器件及其集成技术
隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究
半导体器件的可靠性与老化机制
先进封装和互连结构对器件性能的影响
其他相关主题均可投稿,也可直接咨询蒋老师微信:15680824672(微信同号)
●投稿说明
1.论文应为原创文章且从未公开发表,投稿论文需全英文,请严格按照模板的格式修改文章格式,文章不得少于6页。
2.如需翻译润色服务,请联系会议秘书蒋老师,学生作者或多篇投稿有优惠。
3.作者可通过Turnitin或其他查询系统查重,否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。
4.投稿文章流程:投稿→审稿→录用→缴费→【注册参会】→见刊→论文集→检索。
●参会方式
1.口头报告:请联系大会老师提交报告的题目和摘要进行审核,口头报告提交的摘要不提交出版;
2.听众参会:请联系大会老师报名,无需提供论文摘要和海报等材料,可全程旁听会议所有展示报告。
组委会:蒋老师
电话咨询:15680824672(微信同号)
QQ咨询:3761629232
会议官网:www.confs-online.com/impsd
大会邮箱:icramd_info@163.com(投稿备注:IMPSD 2025+通讯作者姓名)
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