三氧化钼（MoO3）由于具有较高的理论电荷存储容量，被认为是一种极具潜力的赝电容材料。然而，其实际储能性能仍受到本征低电导率以及表面受限氧化还原反应动力学的制约，导致电荷传输效率不足和活性材料利用率降低，成为限制MoO3高性能储能应用的关键挑战。

对此，西安交通大学电子科学与工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室、陕西省先进储能电子材料与器件工程研究中心阙文修教授团队在国际著名期刊《先进科学》（Advanced Science）上发表题为“Ru‐Doping‐Engineered Oxygen Vacancies in MoO3‐x Nanostructured Films With Ultrahigh Capacitance for Flexible Asymmetric Supercapacitors”《Ru掺杂工程调控MoO3‐x纳米结构薄膜中的氧空位及其在超高电容柔性不对称超级电容器中的应用》的研究文章，作者通过一步溶剂热反应策略，在MoO3中同步实现Ru掺杂和氧空位构筑，制备出具有自支撑结构的Ru-MoO3‐x柔性薄膜电极。该材料通过“元素掺杂+缺陷调控”协同作用，有效优化了MoO3的电子结构和电荷传输路径。研究发现，Ru的引入不仅诱导形成特殊的纳米结构，还促进氧空位生成，为电化学反应提供更多活性位点。同时，Ru掺杂引起的晶格畸变促进了不同价态Mo离子之间的电子转移，显著提升了材料导电性和储能动力学。基于该策略构筑的Ru-MoO3‐x柔性电极表现出优异储能性能，实现2047.5 F g-1的超高比电容，进一步组装的不对称超级电容器获得40.9 Wh kg-1的高能量密度。西安交通大学电信学部博士生宾小青为此论文的第一作者，西安交通大学阙文修教授与名古屋大学Yusuke Asakura, Yusuke Yamauchi教授为共同通讯作者。西安交通大学为第一作者单位。

阙文修教授团队长期致力于MXenes基纳米复合材料在电化学储能及电催化领域的研究，该研究工作是阙文修教授课题组在《先进材料》（Advanced Materials）、《先进能源材料》（Advanced Energy Materials）、《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）、《纳米》（ACS Nano）、《化学工程期刊》（Chemical Engineering Journal）等国际著名期刊发表储能转换领域多项研究成果后的又一重要进展。