2025 International Conference on Microelectronics Systems, Semiconductors and Electronic Devices（IMSED 2025）

●重要信息

会议地点：西安，中国

截稿时间：以官网为准（延期投稿者请联系大会徐老师咨询）

会议网址：www.global-meetings.com/imsed

投递邮箱：icrm_info@163.com【投稿请附言：IMSED 2025+通讯作者姓名+徐老师推荐】，否则无法确认您的稿件。

接受/拒稿通知：投稿后3个工作日左右

●会议简介

2025年微电子系统、半导体与电子器件国际会议（IMSED 2025）定于中国西安举行，会议将汇集全球顶尖的科研专家、工程师和业内人士，聚焦集成微电子系统、半导体与电子器件等前沿领域的最新研究成果和发展趋势。本次会议不仅提供了一个高水平的学术交流平台，也促进了产学研各界之间的深入合作，旨在推动行业创新发展，共同探讨与解决行业面临的技术挑战。

●论文收录

向IMSED 2025提交的所有全文都可以用英语书写，并将发送给至少两名评审员，并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。IMSED 2025所有被接受的论文将在会议记录中发表，并提交给Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar进行索引。

●征文主题（以下主题包括但不限于）

主题1：微电子系统

电路分析与测试

模拟电子技术、数字电子技术

C语言程序设计

PCB设计

集成电路导论

半导体器件物理

集成电路制造工艺

集成电路封装与测试基础

半导体集成电路

集成电路版图设计技术

FPGA应用与开发

主题2：半导体

新型半导体材料及其在器件中的应用高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

主题3：电子器件

电力电子技术、可变流技术

电子器件设备

电力电子与电力传输

数字电子学电子信息工程

高级电磁学

MEMS元件技术

电子系统级设计、电子学和纳米电子学

光纤和光纤设备、三维半导体器件技术

电路分析与设计

微电子科学与工程

通信电子电路

集成电路设计和集成系统

微波光子器件物理学

集成光学

微/纳米系统和网络

数字信号处理

●提交论文

1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱，我们收到后会第一时间回复您。

投递邮箱：icrm_info@163.com（投稿请附言：IMSED 2025+通讯作者姓名+徐老师推荐），否则无法确认您的稿件。

2.审稿流程：作者投稿-稿件收到确认（1个工作日）-初审(1-3工作日) -告知结果（接受/拒稿），越早投稿越早收到文章结果。

●投稿说明

1.本会议官方语言为英语，投稿者务必用英语撰写论文。

2.稿件应为原创作品，未在国内外刊物上发表过,不接受一稿多投。作者可通过Turnitin查询系统查重。涉嫌抄袭的论文将不被出版。

3.请根据格式模板文件编辑您的文章。

4.文章至少6页。学生作者或多篇投稿有优惠。

5.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。

6.投稿请附言：IMSED 2025+通讯作者姓名+徐老师推荐，否则无法确认您的稿件。