2025年集成电路与半导体技术国际会议(ICICST 2025)
发布时间:2025/03/24
【高录用 | 快见刊 | 稳检索】2025年集成电路与半导体技术国际会议(ICICST 2025)
2025 International Conference on Integrated Circuits and Semiconductor Technology (ICICST 2025)
会议地点:济南,中国
截稿时间:2025年5月7日(延期投稿/咨询相关会议 请联系大会老师)
网址:www.global-meetings.com/icicst
邮箱:moconference@126.com(投稿主题请注明:ICICST 2025+通讯作者姓名+墨老师推荐,否则无法确认您的稿件)
接受/拒稿通知:投稿后3-5天内!
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2025年集成电路与半导体技术国际会议(ICICST 2025)将在中国济南召开。会议主题主要围绕集成电路、半导体技术等相关研究领域展开讨论,旨在为相关领域的专家学者及企业发展人提供一个分享研究成果、讨论存在的问题与挑战、探索前沿科技的国际性合作交流平台。热忱欢迎高校,科研机构专家,学者企业界人士及其他相关人员踊跃投稿并参会交流,与会学者们可通过此次会议聆听知名专家的精彩报告,一同分享行业内领先的研究成果与创新想法。
●论文收录
向ICICST 2025提交的所有全文都可以用英语书写,并将发送给至少两名评审员,并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。ICICST 2025所有被接受的论文将在会议记录中发表,并提交给Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar进行索引。
●征文主题
(以下主题包括但不限于)
主题一:集成电路
集成电路设计与制造
超大规模集成电路(VLSI)
片上系统(SoC)设计
低功耗设计技术
集成电路测试与验证
射频集成电路(RFIC)
电源管理集成电路(PMIC)
数字信号处理器(DSP)与应用
主题二:半导体技术
新型半导体材料及其在器件中的应用高性能MOSFET设计与优化
能耗效率优化的功率器件技术
超越硅的III-V族化合物半导体器件
微光电半导体传感器及其应用
半导体激光器及其新兴应用领域
石墨烯和其他二维材料器件
量子点和量子阱半导体器件
新型存储器器件:RRAM, MRAM, FeRAM
低温电子器件的挑战与机遇
高频和高功率器件的突破性技术
硅基光电子器件及其集成技术
隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究
半导体器件的可靠性与老化机制
先进封装和互连结构对器件性能的影响
●提交论文
1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱,我们收到后会第一时间回复您。
投稿邮箱:moconference@126.com
投稿主题请注明:ICICST 2025+通讯作者姓名+墨老师推荐(否则无法确认您的稿件)
2. 审稿流程:作者投稿-稿件收到确认(1个工作日)-初审(1-3工作日) -告知结果(接受/拒稿),越早投稿越早收到文章结果。
●投稿说明
1.本会议官方语言为英语,投稿者务必用英语撰写论文。如需翻译服务,请联系会议组墨老师。
2.论文应具有学术或实用价值,未在国内外学术期刊或会议发表过。作者可通过CrossCheck, Turnitin或其他查询系统自费查重,否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。
3.文章至少6页。请根据格式模板文件编辑您的文章。学生作者或多篇投稿有优惠。
4.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。
5.投稿主题请注明:ICICST 2025+通讯作者姓名+墨老师推荐(否则无法确认您的稿件)
●联系方式
会议官网:www.global-meetings.com/icicst
邮箱:moconference@126.com(备注墨老师推荐享优先审稿和投稿优惠)
投稿主题请注明:ICICST 2025+通讯作者姓名+墨老师推荐(否则无法确认您的稿件)
QQ咨询:2580953988
(您将在第一时间得到回复,添加时请备注“ICICST 2025”)
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