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清华大学材料学院林元华团队合作报道巨介电陶瓷研究进展

2025/05/10

介电陶瓷材料作为电子元器件的重要组成部分受到广泛关注。随着器件的小型化、集成化快速发展,研发具有更高介电常数、更低介电损耗以及良好温度稳定性的高性能介电陶瓷材料日益紧迫。在目前广泛报道的高介电常数材料中,钛酸铜钙基陶瓷常伴随较高损耗,难以得到有效抑制;二氧化钛基和钛酸锶基陶瓷介电性能依赖掺杂改性,若要兼顾损耗则难以进一步提高介电常数。

近日,清华大学材料学院林元华团队提出价键工程策略,通过高熵设计向钛酸钙中引入多种特定元素,有效减弱了键合强度,促进了空位缺陷的生成,从而提高了偶极子取向极化强度,提升了钛酸钙的介电性能。通过价键工程这一有效方法,在(Na0.25Sm0.25Ca0.25Sr0.25)(Ti0.97Nb0.015Er0.015O3(NSCST)陶瓷中同时实现了2.37×105的巨介电常数、介电损耗仅0.005,以及-50–250°C范围内小于±15%的高温度稳定性,为目前国际上报道的最优性能。本研究证实巨介电性能可以在钛酸钙陶瓷中实现,提出的价键工程策略可以推广到其他相似组成和结构的材料设计中,同时为其他功能陶瓷的性能优化提供了新思路。

清华大学材料学院林元华团队合作报道巨介电陶瓷研究进展

高熵钛酸钙陶瓷的价键工程设计策略

相关研究成果以“化学键合工程制备巨介电常数高熵钛酸钙陶瓷”(Colossal permittivity in high-entropy CaTiO3 ceramics by chemical bonding engineering)为题,于4月29日在线发表于《自然·通讯》(Nature Communications)。

清华大学材料学院2021级博士生蔡婧涵为论文第一作者,材料学院教授林元华为论文通讯作者。论文的重要合作者包括清华大学材料学院南策文院士、蓝顺博士、戚俊磊博士,河南理工大学副教授魏宾。研究得到国家自然科学基金项目和国家重点研发计划项目的支持。


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