2025年微电子学、物理与半导体器件国际会议（IMPSD 2025）

2025 International Conference on Microelectronics, Physics and Semiconductor Devices（IMPSD 2025）

●重要信息

会议官网：www.confs-online.com/impsd

截稿时间：以官网为准（早投稿、早审核、早录用）

会议地点：福州，中国

投递邮箱：icramd_info@163.com【投稿请附言：IMPSD 2025+通讯作者姓名+蒋老师推荐】，否则无法确认您的稿件。

接受/拒稿通知：投稿后3个工作日左右。

◆高录用，权威出版！超稳检索！

更多学术信息，团队/学生投稿专属优惠，欢迎咨询会议秘书蒋老师：15680824672（微信同号）

【核心期刊&普刊推荐】

国际顶刊资源：

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●论文收录

所有的投稿都必须经过2-3位组委会专家审稿，经过严格的审稿之后，最终所有录用的论文将以会以论文集形式出版，见刊后提交至Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar检索，目前检索稳定！

●会议简介

2025年微电子学、物理与半导体器件国际会议（IMPSD 2025）定于中国福州举行，大会旨在汇聚来自世界各地的学者、研究人员和行业专家，共同探讨“微电子学、物理与半导体器件”等领域的最新研究成果和应用前景。会议将为与会者提供一个高水平的交流平台，促进跨学科合作与知识分享。

●征文主题（以下主题包括但不限于）

Track 1：微电子学

微电子科学与工程

集成电路工程

固体电子学与微电子学

微电子技术

电子信息科学与技术

通信工程

物理学

固体物理

半导体器件物理

集成电路

电路与系统

电子科学与技术

微电子和固体电子学

电子与集成电路

模拟与数字通信

Track 2：物理

力学与理论力学

量子物理学

光学与激光物理

光子系统中的量子力学原理

半导体物理

二维材料的物理性质与应用

强激光与等离子体物理

非平衡态统计物理和量子热机

大规模模拟和机器学习在物理中的应用

固体物理

Track 3：半导体器件

新型半导体材料及其在器件中的应用

高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

●投稿说明

1.论文应为原创文章且从未公开发表，投稿论文需全英文，请严格按照模板的格式修改文章格式，文章不得少于6页。

2.如需翻译润色服务，请联系会议秘书蒋老师，学生作者或多篇投稿有优惠。

3.作者可通过Turnitin或其他查询系统查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。

4.投稿文章流程：投稿→审稿→录用→缴费→【注册参会】→见刊→论文集→检索。

●参会方式

1.口头报告：请联系大会老师提交报告的题目和摘要进行审核，口头报告提交的摘要不提交出版；

2.听众参会：请联系大会老师报名，无需提供论文摘要和海报等材料，可全程旁听会议所有展示报告。