2026年集成电路与半导体技术国际会议（ICICST 2026）

2026 International Conference on Integrated Circuits and Semiconductor Technology （ICICST 2026）

【会议亮点】

1、IEEE、IOP、SPIE等权威出版社

2、有ISSN、ISBN号

3、高录用|快见刊

4、团队/学生投稿优惠！！！

5、核心期刊、普刊等其他资源请咨询会议墨老师

6、可口头汇报/旁听

会议地点：济南，中国

（延期投稿/咨询相关会议 请联系大会老师）

网址：www.global-meetings.com/icicst

（投稿主题请注明：ICICST 2026+通讯作者姓名+墨老师推荐，否则无法确认您的稿件）

接受/拒稿通知：投稿后3-5天内！

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●会议简介

2026年集成电路与半导体技术国际会议（ICICST 2026）将在中国济南召开。会议主题主要围绕集成电路、半导体技术等相关研究领域展开讨论，旨在为相关领域的专家学者及企业发展人提供一个分享研究成果、讨论存在的问题与挑战、探索前沿科技的国际性合作交流平台。热忱欢迎高校，科研机构专家，学者企业界人士及其他相关人员踊跃投稿并参会交流，与会学者们可通过此次会议聆听知名专家的精彩报告，一同分享行业内领先的研究成果与创新想法。

●论文收录

向ICICST 2026提交的所有全文都可以用英语书写，并将发送给至少两名评审员，并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。ICICST 2026所有被接受的论文将在会议记录中发表，并提交给Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar进行索引。

●征文主题

（以下主题包括但不限于）

主题一：集成电路

集成电路设计与制造

超大规模集成电路（VLSI）

片上系统（SoC）设计

低功耗设计技术

集成电路测试与验证

射频集成电路（RFIC）

电源管理集成电路（PMIC）

数字信号处理器（DSP）与应用

主题二：半导体技术

新型半导体材料及其在器件中的应用高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

●提交论文

1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱，我们收到后会第一时间回复您。

投稿主题请注明：ICICST 2026+通讯作者姓名+墨老师推荐（否则无法确认您的稿件）

2. 审稿流程：作者投稿-稿件收到确认（1个工作日）-初审(1-3工作日) -告知结果（接受/拒稿），越早投稿越早收到文章结果。

●投稿说明

1.本会议官方语言为英语，投稿者务必用英语撰写论文。如需翻译服务，请联系会议组墨老师。

2.论文应具有学术或实用价值，未在国内外学术期刊或会议发表过。作者可通过CrossCheck, Turnitin或其他查询系统自费查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。

3.文章至少6页。请根据格式模板文件编辑您的文章。学生作者或多篇投稿有优惠。

4.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。

5.投稿主题请注明:ICICST 2026+通讯作者姓名+墨老师推荐（否则无法确认您的稿件）