2026年半导体物理与器件制造国际会议（ICSPDM 2026）

2026 International Conference on Semiconductor Physics and Device Manufacturing（ICSPDM 2026）

会议地点：海口，中国

截稿时间：2026年2月5日（延期投稿者/咨询相关会议 请联系大会老师）

网址：www.global-meetings.com/icspdm

邮箱：conference666@163.com（投稿主题请注明：ICSPDM 2026+通讯作者姓名+墨老师推荐，否则无法确认您的稿件）

接受/拒稿通知：投稿后3-5天内！

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●会议简介

 2026半导体物理与器件制造国际会议（ICSPDM 2026）将在中国海口召开。会议致力于为研究人员、科学家、工程师和学者提供交流的机会，分享他们在“半导体物理”、“器件制造”领域的经验和创新研究。此外，本次会议还将是一个讨论实际问题、遇到的挑战以及采用的解决方案的平台。很高兴邀请来自世界各地的作者和学者参加这次会议，并分享他们的创新研究进展。我们相信，这次会议将是一个了不起的平台，可以增进我们的知识，创造新的想法，帮助促进联合学术研究的进步和变化。最后，我们祝愿您们一切顺利，愿您们有一个难忘的会议。

●论文收录

向ICSPDM 2026提交的所有全文都可以用英语书写，并将发送给至少两名评审员，并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。ICSPDM 2026所有被接受的论文将在会议记录中发表，并提交给Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar进行索引。

●征文主题

（以下主题包括但不限于）

主题一：半导体物理

半导体自旋物理与拓扑现象

半导体纳米与器件

宽/窄的带隙半导体

化合物半导体

磁性半导体

有机半导体

光电和光伏器件

半导体物理学

半导体量子计算

微波光子器件物理

半导体材料与器件可靠性

半导体制造与应用

新兴半导体技术

先进光刻胶

主题二：器件制造

新型半导体材料及其在器件中的应用

高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

●提交论文

1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱，我们收到后会第一时间回复您。

投稿邮箱：conference666@163.com

投稿主题请注明：ICSPDM 2026+通讯作者姓名+墨老师推荐（否则无法确认您的稿件）

2. 审稿流程：作者投稿-稿件收到确认（1个工作日）-初审(1-3工作日) -告知结果（接受/拒稿），越早投稿越早收到文章结果。

●投稿说明

1.本会议官方语言为英语，投稿者务必用英语撰写论文。如需翻译服务，请联系会议组墨老师。

2.论文应具有学术或实用价值，未在国内外学术期刊或会议发表过。作者可通过CrossCheck, Turnitin或其他查询系统自费查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。

3.文章至少6页。请根据格式模板文件编辑您的文章。学生作者或多篇投稿有优惠。

4.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。

5.投稿主题请注明:ICSPDM 2026+通讯作者姓名+墨老师推荐（否则无法确认您的稿件）