2026年先进半导体器件、通信与集成电路国际会议(IADCI 2026)
2026 International Conference on Advanced Semiconductor Devices, Communications and Integrated Circuits(IADCI 2026)
●重要信息
会议地点:成都,中国
截稿时间:以官网为准(延期投稿者请联系大会蒋老师咨询)
会议网址:www.global-meetings.com/iadci
投递邮箱:eirma_ais@163.com【投稿请附言:IADCI 2026+通讯作者姓名+蒋老师推荐】,否则无法确认您的稿件。
接受/拒稿通知:投稿后3个工作日左右。
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【核心期刊&普刊推荐】
● 国际顶刊资源:
1. SCI:涵盖各分区期刊,精准匹配研究方向
2. SSCI/A&HCI:社会科学,艺术人文领域优质刊源
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● 国内核心期刊&普刊:
1. 北大核心,科技核心最新版目录期刊
2. 高质量普刊(知网/万方/维普收录),国际英文期刊安排
●论文收录
所有的投稿都必须经过2-3位组委会专家审稿,经过严格的审稿之后,最终所有录用的论文将以会议论文集形式出版,见刊后提交至Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar检索,目前检索稳定!
●会议简介
2026年先进半导体器件、通信与集成电路国际会议(IADCI 2026)定于中国成都举行,会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖,共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新,包括量子计算、5G通信和集成电路等前沿科技,深入了解行业动态,分享前沿经验。
●征文主题(以下主题包括但不限于)
主题1.先进半导体器件
新型半导体材料及其在器件中的应用高性能MOSFET设计与优化
能耗效率优化的功率器件技术
超越硅的III-V族化合物半导体器件
微光电半导体传感器及其应用
半导体激光器及其新兴应用领域
石墨烯和其他二维材料器件
量子点和量子阱半导体器件
新型存储器器件:RRAM, MRAM, FeRAM
低温电子器件的挑战与机遇
高频和高功率器件的突破性技术
硅基光电子器件及其集成技术
隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究
半导体器件的可靠性与老化机制
先进封装和互连结构对器件性能的影响
主题2.通信
无线通信与移动通信、5G/6G通信技术
数字通信、多媒体通信
互联网通信、光通信与光网络
卫星通信与空间通信、移动互联网与终端
射频技术、现代交换技术
通信电子线路
图像处理与计算机视觉
多媒体信号处理
物联网(IoT)与传感器网络
量子计算与量子通信
绿色通信与节能技术
信号与系统
模拟电子技术、天线与电波传播
主题3.集成电路
集成电路设计与制造
超大规模集成电路(VLSI)
片上系统(SoC)设计、低功耗设计技术
集成电路测试与验证
射频集成电路(RFIC)、电源管理集成电路(PMIC)
数字信号处理器(DSP)与应用
三维集成电路及其制造工艺
片上系统(SoC)与集成方法
芯片异构集成技术
封装级集成技术的发展与创新
集成电路中的热管理技术
射频集成电路及其设计优化
人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用
先进模拟与混合信号集成电路
电源管理集成电路技术
集成电路设计中的可靠性与安全挑战
硅光子学互连技术
超大规模集成技术的最新进展
新兴存储器集成技术
模块化MEMS与NEMS的集成应用
智能传感系统的集成与创新
●投稿说明
1.论文应为原创文章且从未公开发表,投稿论文需全英文,请严格按照模板的格式修改文章格式,文章不得少于6页。
2.如需翻译润色服务,请联系会议秘书蒋老师,学生作者或多篇投稿有优惠。
3.作者可通过Turnitin或其他查询系统查重,否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。
4.投稿文章流程:投稿→审稿→录用→缴费→【注册参会】→见刊→论文集→检索。
●参会方式
1.口头报告:参会汇报请与大会秘书联系,提交报告题目及摘要以供审核。(摘要不出版)
2.听众参会:欢迎联系大会秘书完成注册,以听众身份参会。无需提交摘要或海报,可全程聆听会议报告。
组委会:蒋老师
电话咨询:15680824672(微信同号)
QQ咨询:3761629232
会议官网:www.global-meetings.com/iadci
投递邮箱:eirma_ais@163.com(投稿请附言:IADCI 2026+通讯作者姓名)
【添加获投稿优惠、优先审稿,及后续会议通知、见刊和检索等】
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