2026年半导体器件、集成技术与电子技术国际会议（SDITET 2026）

2026 International Conference on Semiconductor Devices, Integration Technology, and Electronic Technology（SDITET 2026）

会议信息

大会官网：www.confs-online.com/sditet

大会地址：柳州

最终截稿时间：以官网时间为准（延期投稿请咨询组委会田老师）

接受/拒稿通知：投稿后3个工作日左右

投稿邮箱：int_committee@163.com【投稿请备注：SDITET投稿+通讯作者姓名+田老师推荐，方便安排审稿，可享优惠价及优先审稿与录用权】

会议简介

2026年半导体器件、集成技术与电子技术国际学术会议(SDITET 2026)将在中国柳州举行。会议旨在为从事”半导体器件”、“集成技术”与“电子技术”研究的专家学者提供一个共享科研成果和前沿技术，了解学术发展趋势，拓宽研究思路，加强学术研究和探讨，促进学术成果产业化合作的平台。大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者，企业界人士及其他相关人员参会交流。

参会方式

1、全文参会（参会+全文发表+报告）

投递全文并参会，录用注册的文章发表在会议论文集上，提交EI Compendex、CPCI、Scopus、CNKI、Google Scholar等收录；

一篇文章的注册费含一位作者的参会（旁听）费用，如需汇报需准备10分钟左右的演讲及PPT；

2、摘要参会（参会+摘要+报告）

投递摘要并参会，安排10分钟左右口头报告；

3、听众参会：无报告仅参会

注：会后我们将开具发票、邀请函、参会证明等材料并发送给参会人员。

文章出版

出版物：所有被会议录用的英文稿件将会发表在会议论文集上, 更多详情请与我们联系(手机/微信：17162865530)。

收录检索：EI Compendex、CPCI、Scopus、CNKI、Google Scholar等。

投稿须知：

1）稿件必须用英文书写，图片、表格、公式中不允许有外文出现；

2）稿件应按照模板标准排版且不少于6页；

3）论文应为原创且从未公开出版的，投稿内容应与主题相关，且有深度性，有创新性；

4）禁止抄袭；

5）禁止一稿多投。

大会主题（研究领域包括但不限于以下主题）

主题一：半导体器件

新型半导体材料及其在器件中的应用

高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

主题二：集成技术

三维集成电路及其制造工艺

片上系统(SoC)与集成方法

芯片异构集成技术

封装级集成技术的发展与创新

集成电路中的热管理技术

射频集成电路及其设计优化

人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用

先进模拟与混合信号集成电路

电源管理集成电路技术

集成电路设计中的可靠性与安全挑战

硅光子学互连技术

超大规模集成技术的最新进展

新兴存储器集成技术

模块化MEMS与NEMS的集成应用

智能传感系统的集成与创新

主题三：电子技术

光纤

电子信息工程

信息安全

电子信息技术

电路分析与设计

电子封装技术

微电子科学与工程

电子与纳米电子

先进电磁学

通信电子线路

集成电路设计与集成系统

微波光子器件物理

集成光学

微型/纳米系统和网络

数字信号处理

模拟计算

信息处理技术