
2025年电子电路、半导体器材与集成技术国际会议(ECSEIT 2025)
2025 International Conference on Electronic Circuits, Semiconductor Equipment and Integrated Technology (ECSEIT 2025)
截稿时间:以官网为准
会议地点:福州,中国
会议官网:www.confs-online.com/ecseit
会议投稿邮箱: ei_kxklxf@126.com(备注张老师推荐享优先审稿和投稿优惠)
投稿主题请注明:ECSEIT 2025+通讯作者姓名(否则无法确认您的稿件)
● 会议简介
2025年电子电路、半导体器材与集成技术国际会议(ECSEIT 2025)将在中国福州召开。会议将围绕“电子电路、半导体器材与集成技术”等相关最新研究领域,为来自国内外高等院校、科学研究所、企事业单位的专家、教授、学者、工程师等提供一个分享专业经验,扩大专业网络,面对面交流新思想以及展示研究成果的国际平台,探讨本领域发展所面临的关键性挑战问题和研究方向,以期推动该领域理论、技术在高校和企业的发展和应用,也为参会者建立业务或研究上的联系以及寻找未来事业上的全球合作伙伴。
● 论文提交收录
向ECSEIT 2025提交的所有全文都可以用英语书写,并将发送给至少两名评审员,并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。ECSEIT 2025所有被接受的论文将在会议记录中发表,并提交给EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar进行索引。
● 征文主题
半导体器件与工艺
功率电子与电源管理
通信与网络技术
人工智能融合应用
?新型计算架构
电磁兼容与信号完整性
生物医学电子(如ECG信号采集)
汽车电子系统
航天电子抗辐射设计
高效电源管理电路
射频与微波电路设计
集成电路设计与封装技术
电路仿真与建模
自适应与重构电路
电路仿真工具开发与优化
5G及后5G时代电路技术
先进电子电路设计与建模
智能交通与自动驾驶技术
新型半导体材料及其在器件中的应用
高性能MOSFET设计与优化
能耗效率优化的功率器件技术
超越硅的III-V族化合物半导体器件
微光电半导体传感器及其应用
半导体激光器及其新兴应用领域
石墨烯和其他二维材料器件
量子点和量子阱半导体器件
新型存储器器件:RRAM, MRAM, FeRAM
低温电子器件的挑战与机遇
高频和高功率器件的突破性技术
硅基光电子器件及其集成技术
隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究
半导体器件的可靠性与老化机制
先进封装和互连结构对器件性能的影响
三维集成电路及其制造工艺
片上系统(SoC)与集成方法
芯片异构集成技术
封装级集成技术的发展与创新
集成电路中的热管理技术
射频集成电路及其设计优化
人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用
先进模拟与混合信号集成电路
电源管理集成电路技术
集成电路设计中的可靠性与安全挑战
硅光子学互连技术
超大规模集成技术的最新进展
新兴存储器集成技术
模块化MEMS与NEMS的集成应用
智能传感系统的集成与创新
● 提交论文
1. 直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱,我们收到后会第一时间回复您。
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2. 审稿流程:作者投稿 - 稿件收到确认(1个工作日)- 初审(1-3工作日) - 告知结果(接受/拒稿),越早投稿越早收到文章结果。
● 投稿说明
1. 本会议官方语言为英语,投稿者务必用英语撰写论文。(会议仅接受全英稿件,如需翻译服务,请提前咨询会议老师,我们将提供收费翻译服务)
2. 稿件应为原创作品,未在国内外刊物上发表过, 不接受一稿多投。 作者可通过Turnitin查询系统查重。涉嫌抄袭的论文将不被出版。
3. 请根据格式模板文件编辑您的文章。
4. 文章至少6页。
5. 只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。
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