2026光学技术、半导体与器件国际会议(ICOTSD 2026)
重要信息
会议地址:杭州
最终截稿时间:以官网为准(抓紧投稿!延期投稿请联系组委会老师)
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大会简介
2026光学技术、半导体与器件国际会议(ICOTSD 2026)将于2026年在中国杭州举行。会议主要围绕光学技术、半导体与器件等研究领域展开讨论。会议旨在为从事相关研究的专家学者、工程技术人员、技术研发人员提供一个共享科研成果和前沿技术,了解学术发展趋势,拓宽研究思路,加强学术研究和探讨,促进学术成果产业化合作的平台。大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者,企业界人士及其他相关人员参会交流。
征稿主题
(以下主题包括但不限于)
主题一:光学技术
信息光学
物理光学
应用光学
纳米光
光电信号获取
光通信和光网络
半导体
光学仪器与技术
光伏技术
光信息处理
先进传感器技术
光电仪器设计
光学测量技术及其应用
光能转换
光学遥感技术
微机电系统
主题二:半导体
半导体自旋物理与拓扑现象
半导体纳米与器件
宽/窄的带隙半导体
化合物半导体
磁性半导体
有机半导体
光电和光伏器件
半导体物理学
半导体量子计算
微波光子器件物理
半导体材料与器件可靠性
半导体制造与应用
新兴半导体技术
先进光刻胶
主题三:光电半导体器件
新型半导体材料及其在器件中的应用
高性能MOSFET设计与优化
能耗效率优化的功率器件技术
超越硅的III-V族化合物半导体器件
微光电半导体传感器及其应用
半导体激光器及其新兴应用领域
石墨烯和其他二维材料器件
量子点和量子阱半导体器件
新型存储器器件:RRAM, MRAM, FeRAM
低温电子器件的挑战与机遇
高频和高功率器件的突破性技术
硅基光电子器件及其集成技术
隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究
半导体器件的可靠性与老化机制
先进封装和互连结构对器件性能的影响
论文出版
所有投稿都必须先经过2-3位专家审稿,评审录用后,文章将以会议论文集的形式出版,最终提交Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar检索。
◆投稿方式:
1.英文投稿:请将英文稿件全文(WORD+PDF)直接上传至会议邮箱,如需翻译请联系龙老师.
投稿主题请注明:ICOTSD 2026+通讯作者姓名(否则无法确认您的稿件)
2.审稿流程:作者投稿-稿件收到确认(1个工作日)-初审(1-3工作日) -告知结果(接受/拒稿),越早投稿越早收到文章结果。
参会方式
1. 投稿参会
2. 付费参会:不投稿仅参会听会,不作任何展示;
3. 口头报告:演讲10-15分钟。
会议官网:www.confs-online.com/icotsd
投稿邮箱:comfus_info@126.com投稿时请在邮件正文备注:龙老师推荐,将享有优先审稿及录用和学生优惠价。
大会秘书:龙老师
手机/微信:15680824621
QQ:1435571820
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