2025光学技术、半导体与器件国际会议（ICOTSD 2025）

重要信息

会议官网：www.confs-online.com/icotsd

会议地址：杭州

召开日期：2025.12.02

截稿日期：2025.11.17（先投稿，先审核，先提交出版检索）

最终截稿时间：以官网为准（抓紧投稿！延期投稿请联系组委会老师）

投稿邮箱：comfus_info@126.com投稿时请在邮件正文备注：袁老师推荐，将享有优先审稿及录用和学生优惠价。

大会简介

2025光学技术、半导体与器件国际会议（ICOTSD 2025）将于2025年在中国杭州举行。会议主要围绕光学技术、半导体与器件等研究领域展开讨论。会议旨在为从事相关研究的专家学者、工程技术人员、技术研发人员提供一个共享科研成果和前沿技术，了解学术发展趋势，拓宽研究思路，加强学术研究和探讨，促进学术成果产业化合作的平台。大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者，企业界人士及其他相关人员参会交流。

征稿主题

（以下主题包括但不限于）

主题一：光学技术

信息光学

物理光学

应用光学

纳米光

光电信号获取

光通信和光网络

半导体

光学仪器与技术

光伏技术

光信息处理

先进传感器技术

光电仪器设计

光学测量技术及其应用

光能转换

光学遥感技术

微机电系统

主题二：半导体

新型半导体材料及其在器件中的应用

高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

主题三：光电半导体器件

新型半导体材料及其在器件中的应用

高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

论文出版

所有投稿都必须先经过2-3位专家审稿，评审录用后，文章将以会议论文集的形式出版，最终提交Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar检索。

◆投稿方式：

1.英文投稿：请将英文稿件全文（WORD+PDF）直接上传至comfus_info@126.com如需翻译请联系袁老师.

投稿主题请注明:ICOTSD 2025+通讯作者姓名（否则无法确认您的稿件）

2.审稿流程：作者投稿-稿件收到确认（1个工作日）-初审(1-3工作日) -告知结果（接受/拒稿），越早投稿越早收到文章结果。

参会方式

1. 投稿参会

2. 付费参会：不投稿仅参会听会，不作任何展示；

3. 口头报告：演讲10-15分钟；