2026年微电子技术、集成电路与半导体器件国际会议（ICMTICSD 2026）

2026 International Conference on Microelectronics Technology, Integrated Circuits, and Semiconductor Devices（ICMTICSD 2026）

开会时间：2026年10月3日（暂定）长沙，中国（线上+线下）

一、会议重要信息

截稿时间：2026年9月13日（延期投稿者请咨询会议组江老师）

投稿主题请注明：ICMTICSD 2026+通讯作者姓名+江老师推荐，否则无法确认您的稿件

审核录用：投稿后约3个工作日

会议出版：IEEE、SPIE、ACM等权威出版社

会议收录：EI Compendex, Scopus, CPCI，Google Scholar, CrossRef, ResearchGate等数据库稳定检索

注：投稿文章均将以会议论文集形式正式出版，出版后收录有ISSN和ISBN双刊号。团队及学生投稿享有优惠，具体请咨询会议组江老师。若不投稿，亦欢迎报名参与口头汇报或旁听。如需了解SSCI/SCI期刊、中文核心期刊或三大网省级期刊等其他发表资源，也欢迎联系会议组老师咨询。

二、大会介绍

2026年微电子技术、集成电路与半导体器件国际会议（ICMTICSD 2026）定在中国长沙举行。会议将聚焦微电子技术、集成电路与半导体器件等前沿领域的最新研究成果和发展趋势。本次会议不仅提供了一个高水平的学术交流平台，也促进了产学研各界之间的深入合作，旨在推动集成电路与半导体技术的创新发展，共同探讨与解决行业面临的技术挑战。欢迎各界专业人士踊跃参与，共襄盛会！大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者、企业界人士及其他相关人员参会交流。

三、征稿主题

（包括但不限于）：

主题一：微电子技术

微纳米加工技术的新进展

集成电路中的微纳米制造技术

自组装技术在纳米器件中的应用

光刻技术与纳米图案化

微机电系统（MEMS）的设计与制造

新型半导体材料的研究与应用

硅基光电器件的设计与优化

纳米材料在微电子器件中的应用

低功耗电子器件的开发和性能优化

量子点在光电子学中的应用

主题二：集成电路

高性能集成电路设计

数字电路设计

模拟电路设计

ADC/DAC设计

低功耗逻辑电路设计

FPGA架构设计

集成传感器设计

微细加工工艺

光刻技术

先进封装技术，如TSV，CuNCAP

集成电路的老化与故障分析

集成电路安全

集成电动汽车驱动系统的设计和优化

故障诊断与故障修复技术

嵌入式处理器及系统设计

射频前端设计与优化

主题三：半导体器件

新型半导体材料及其在器件中的应用

高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响等

四、投稿流程

1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱，我们收到后会第一时间回复您。

2.审稿流程：作者投稿-稿件收到确认（1个工作日）-初审(1-3工作日)-告知结果（接受/拒稿），越早投稿越早收到文章结果。

五、投稿说明

1.本会议官方语言为英语，投稿者务必用英语撰写论文。如需翻译服务请联系会议组江老师详询。

2.向ICMTICSD 2026提交的所有文章将发送给至少两名评审员，并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。

3.论文应具有学术或实用价值，未在国内外学术期刊或会议发表过。作者可通过CrossCheck,Turnitin或其他查询系统自费查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。

4.文章至少6页。论文模板请至官网下载。学生作者或多篇投稿有优惠。

5.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。

六、参会方式

1、主讲嘉宾：申请主题演讲，由组委会审核；

2、口头演讲：申请口头报告，时间为10分钟左右；（名额有限，优先报名）

3、听众参会：不投稿仅参会旁听；