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2026年半导体材料、外延生长与器件物理国际会议(SMEGD 2026)
会议日期:2026-8-31 至
2026-9-2
会议地点:济南市(线上+线下会议)
收录检索:Ei Compendex,CPCI,CNKI,Google Scholar,Scopus,Inspe
会议简介
2026年半导体材料、外延生长与器件物理国际会议(SMEGD 2026)
2026 International Conference on Semiconductor Materials, Epitaxial Growth and Device Physics
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会议背景
在全球化背景下,半导体材料与器件物理领域的学术前沿不断拓展。本次会议将于中国济南召开,旨在搭建一个全球性的跨学科交流平台,促进学术成果与产业实践的深度融合。会议涵盖半导体材料、外延技术、器件物理及集成电路四大核心领域,致力于推动半导体领域的理论创新与技术突破。
会议目标
搭建跨学科交流平台,促进半导体材料与器件研发的深度融合;探讨硅基、化合物及宽禁带半导体材料,鼓励学者从多维度剖析材料生长规律;研究分子束外延、MOCVD等先进技术,探索材料制备与器件设计的结合路径;关注高电子迁移率晶体管、功率器件等议题,推动半导体技术的可持续发展;形成专题报告,为全球电子信息产业注入新动能。
会议基本信息
会议名称:2026年半导体材料、外延生长与器件物理国际会议
会议地点:中国·济南
收录检索:提交Ei Compendex,CNKI,Google Scholar等
会议主题与议题
总体主题
半导体材料与器件物理:理论创新与技术突破
分议题设置(包括但不限于以下主题)
半导体材料:
硅基半导体材料
化合物半导体材料
宽禁带半导体材料
氧化镓材料
二维半导体材料
异质结材料
外延技术:
分子束外延技术金属有机化学气相沉积
原子层沉积技术
液相外延技术
外延层质量控制
缺陷控制技术
器件物理:
高电子迁移率晶体管功率器件设计
光电器件物理
器件可靠性分析
器件模型建立
新型器件结构
参会方式
1.旁听参会:不投稿且不参与演讲及展示。
2.汇报参会:提交摘要,10-15分钟口头报告演讲。(口头汇报或海报张贴)
3.会议投稿:文章需全英文投稿,请将英文稿件(Word)发送至组邮箱,邮件标题为"作者姓名+联系方式+投稿。"文章将登刊在论文集,出刊后统一提交检索。
费用说明
1.会议稿件费用包含出版;
2.收费均可开具国家税务总局统一的正规全电发票,可开"会议注册费"或"版面费";

联系方式
联系人: 李老师
电话/微信: 185-8152-0396
QQ: 3959598883
官方邮箱: smegd@confsflow.com
会议官网: www.confsflow.com/smegd
电话/微信: 185-8152-0396
QQ: 3959598883
官方邮箱: smegd@confsflow.com
会议官网: www.confsflow.com/smegd
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