2026年外延生长、半导体材料与器件物理国际会议（SMEGD 2026）_Ei Compendex,CPCI,CNKI,Google Scholar，Scopus，Inspe

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2026年外延生长、半导体材料与器件物理国际会议（SMEGD 2026）单位诚信认证2年

会议日期：2026-8-31 至 2026-9-2

会议地点：济南市(线上+线下会议)

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会议简介

2026年半导体材料、外延生长与器件物理国际会议（SMEGD 2026）

2026 International Conference on Semiconductor Materials, Epitaxial Growth and Device Physics

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会议背景
在全球化背景下，半导体材料与器件物理领域的学术前沿不断拓展。本次会议将于中国济南召开，旨在搭建一个全球性的跨学科交流平台，促进学术成果与产业实践的深度融合。会议涵盖半导体材料、外延技术、器件物理及集成电路四大核心领域，致力于推动半导体领域的理论创新与技术突破。

会议目标
搭建跨学科交流平台，促进半导体材料与器件研发的深度融合；探讨硅基、化合物及宽禁带半导体材料，鼓励学者从多维度剖析材料生长规律；研究分子束外延、MOCVD等先进技术，探索材料制备与器件设计的结合路径；关注高电子迁移率晶体管、功率器件等议题，推动半导体技术的可持续发展；形成专题报告，为全球电子信息产业注入新动能。

会议基本信息
会议名称：2026年半导体材料、外延生长与器件物理国际会议
会议地点：中国·济南
收录检索：提交Ei Compendex，CNKI，Google Scholar等

会议主题与议题
总体主题
半导体材料与器件物理：理论创新与技术突破
分议题设置（包括但不限于以下主题）
半导体材料：
硅基半导体材料
化合物半导体材料
宽禁带半导体材料
氧化镓材料
二维半导体材料
异质结材料

外延技术：
分子束外延技术
金属有机化学气相沉积
原子层沉积技术
液相外延技术
外延层质量控制
缺陷控制技术

器件物理：
高电子迁移率晶体管
功率器件设计
光电器件物理
器件可靠性分析
器件模型建立
新型器件结构

参会方式
1.旁听参会：不投稿且不参与演讲及展示。
2.汇报参会：提交摘要，10-15分钟口头报告演讲。（口头汇报或海报张贴）
3.会议投稿：文章需全英文投稿，请将英文稿件(Word)发送至组邮箱，邮件标题为"作者姓名+联系方式+投稿。"文章将登刊在论文集，出刊后统一提交检索。

费用说明
1.会议稿件费用包含出版；

2.收费均可开具国家税务总局统一的正规全电发票，可开"会议注册费"或"版面费"。