2026年微电子系统、半导体与电子器件国际会议（IMSED 2026）

2026 International Conference on Microelectronics Systems, Semiconductors and Electronic Devices（IMSED 2026）

征稿主题范围广 | 高效审核 | 录用率高

IEEE、SPIE、ACM等权威出版社 | 高效见刊 | 检索稳定

ISSN/ISBN双刊号 | 团队/学生投稿优惠

●重要信息

会议地点：西安，中国

截稿时间：以官网为准（延期投稿者请联系大会徐老师咨询）

会议网址：www.global-meetings.com/imsed

投递邮箱：icrm_info@163.com【投稿请附言：IMSED 2026+通讯作者姓名+徐老师推荐】，否则无法确认您的稿件。

接受/拒稿通知：投稿后2-3个工作日左右

如需文章翻译、润色等服务请联系会务徐老师-微信/电话：15680829715，协助/加急录用！

◆优质期刊推荐：

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●会议简介

2026年微电子系统、半导体与电子器件国际会议（IMSED 2026）定于中国西安举行，会议将汇集全球顶尖的科研专家、工程师和业内人士，聚焦集成微电子系统、半导体与电子器件等前沿领域的最新研究成果和发展趋势。本次会议不仅提供了一个高水平的学术交流平台，也促进了产学研各界之间的深入合作，旨在推动行业创新发展，共同探讨与解决行业面临的技术挑战。

●论文收录

所有的投稿都必须经过2-3位组委会专家审稿，经过严格的审稿之后，最终所有录用的论文将以会议论文集形式出版，见刊后提交至Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar检索，稳定检索！

●征文主题（以下主题包括但不限于）

主题1：微电子系统

电路分析与测试

模拟电子技术、数字电子技术

C语言程序设计

PCB设计

集成电路导论

半导体器件物理

集成电路制造工艺

集成电路封装与测试基础

半导体集成电路

集成电路版图设计技术

FPGA应用与开发

主题2：半导体

新型半导体材料及其在器件中的应用高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

主题3：电子器件

电力电子技术、可变流技术

电子器件设备

电力电子与电力传输

数字电子学电子信息工程

高级电磁学

MEMS元件技术

电子系统级设计、电子学和纳米电子学

光纤和光纤设备、三维半导体器件技术

电路分析与设计

微电子科学与工程

通信电子电路

集成电路设计和集成系统

微波光子器件物理学

集成光学

微/纳米系统和网络

数字信号处理

●投稿须知

1.投稿论文需全英文稿件，严格按照模板排版稿件，不得少于6页。

2.文章需原创且从未公开发表，可通过Turnitin或其他查询系统查重，否则由文章重复率引起的被拒稿将由作者自行承担责任。

3..投稿文章流程：投稿→审稿→录用→缴费→【注册参会】→见刊→论文集→检索。

★注意：投稿前请安排一位作者添加会务【徐老师微信号：15680829715】，方便及时沟通和跟进论文状态。

●参会方式

1.申请口头报告者须提交摘要至大会邮箱审核，报告时长10分钟左右，摘要不予出版；

2.听众参会无需提交材料，请联系会务组注册，即可参会旁听。

注意：注册费包含一名参会者的邀请函、参会（汇报）证明、会议通知等材料费用