2025年先进电子技术、半导体器件和电路国际会议（AETSDC 2025）定在中国武汉举行。旨在为先进电子技术、半导体器件和电路领域的科研学者、技术人员及相关人员提供一个共享科研成果和前沿技术，了解学术发展趋势，拓宽研究思路，加强学术研究和探讨，促进学术成果产业化合作的平台。大会诚邀国内外高校、科研机构专家、学者，企业界人士及其他相关人员参会交流。

●会议信息

截稿时间：以官网为准（延期投稿者请联系大会老师咨询）

网址：www.confs-online.com/aetsdc

邮箱：gjhy_ei_cpci@126.com

投稿主题请注明: AETSDC 2025+通讯作者姓名+唐老师推荐（备注可享优先审稿和投稿优惠）

接受/拒稿：投稿后3个工作日内

●参会方式

1、全文参会（参会+全文发表+报告）

投递全文并参会，录用注册的文章发表在会议论文集上，提交EI Compendex、CPCI、Scopus、CNKI、Google Scholar等收录；

一篇文章的注册费含一位作者的参会（旁听）费用，如需汇报需准备10分钟左右的演讲及PPT；

2、摘要参会（参会+摘要+报告）

投递摘要并参会，安排10分钟左右口头报告；

3、听众参会：无报告仅参会

注：会后我们将开具发票、邀请函、参会证明等材料并发送给参会人员。

●文章出版

出版物：所有被会议录用的英文稿件将会发表在会议论文集上, 更多详情请与我们联系(手机/微信：17168296597)。

收录检索：EI Compendex、CPCI、Scopus、CNKI、Google Scholar等。

●投稿说明

1）稿件必须用英文书写，图片、表格、公式中不允许有外文出现；

2）稿件应按照模板标准排版且不少于6页；

3）论文应为原创且从未公开出版的，投稿内容应与主题相关，且有深度性，有创新性；

4）禁止抄袭；

5）禁止一稿多投。

●征文主题

（主题包括但不限于）

主题一：先进电子技术

集成电路设计与系统

电子器件与集成

新型存储器技术

先进传感器技术

太赫兹技术

通信技术

先进显示技术

电子成像技术

光电子集成

仿生电子系统

半导体材料与器件

电子材料、器件与系统

物联网和车联网

主题二：半导体器件

新型半导体材料及其在器件中的应用

高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

主题三：半导体器件和电路

无线系统的器件和电路

低功耗、射频器件和电路

硅/锗器件和器件物理

复合半导体器件和电路

非传统和纳米电子学

有机半导体器件和技术

光子学和光电子学