2026年半导体、集成电路与仿真设计国际会议（SICSD 2026）

2026 International Conference on Semiconductors, Integrated Circuits and Simulation Design（SICSD 2026）

【核心期刊&普刊推荐】

● 国际顶刊资源：

1、SCI/SSCI/A&HCI：涵盖各分区期刊，精准匹配研究方向

2、EI Compendex：工程索引权威期刊/会议

● 国内核心期刊&普刊：

1、北大核心，科技核心最新版目录期刊

2、高质量普刊（知网/万方/维普收录），国际英文期刊安排

【重要信息】

网址：www.confs-online.com/sicsd

IEEE、IOP、SPIE等权威出版社

会议地点：郑州，中国

截稿时间：以官网为准（延期投稿者/咨询相关会议 请联系大会老师）

邮箱投稿（投稿主题请注明：SICSD 2026+通讯作者姓名，否则无法确认您的稿件）

接受/拒稿通知：投稿后3-5天内！

更多学术信息，团队/学生投稿专属优惠，欢迎咨询老师

【大会简介】

2026年半导体、集成电路与仿真设计国际会议（SICSD 2026）将在中国郑州召开。本次会议会致力于构筑全球顶尖的学术对话与产业融通高地，诚邀海内外杰出学者、技术先驱及行业领袖齐聚一堂。会议将深度聚焦前沿理论突破与关键核心技术，系统展示最新科研转化成果，分享跨学科实践经验，共谋未来技术演进路径。我们旨在通过高强度的思想碰撞与资源整合，激发创新动能，推动产学研用一体化进程，诚邀您共襄盛举，携手开启领域发展的新纪元。

【论文收录】

1.向SICSD 2026提交的所有全文都可以用英语书写，并将发送给至少两名评审员，并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。SICSD 2026所有被接受的论文将在会议记录中发表，并提交给Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar进行索引。

2.审稿流程：作者投稿-稿件收到确认（1个工作日）-初审(1-3工作日) -告知结果（接受/拒稿），越早投稿越早收到文章结果。

【征文主题】

（以下主题包括但不限于）

主题一：半导体

半导体物理基础

半导体材料与特性

硅基半导体技术

宽禁带半导体（SiC/GaN）

化合物半导体（GaAs/InP）

有机与柔性半导体

二维半导体材料

半导体器件物理

半导体工艺技术

光刻与刻蚀技术

薄膜沉积与掺杂

半导体封装技术

半导体测试与可靠性

功率半导体器件

射频半导体器件

光电子半导体器件

MEMS与半导体融合

半导体设计自动化（EDA）

半导体器件建模与仿真

半导体热管理技术

半导体失效分析

半导体先进工艺节点

半导体材料表征

半导体传感器

题目二：集成电路

集成电路基础理论

数字集成电路设计

模拟集成电路设计

射频集成电路设计

混合信号电路设计

系统级芯片（SoC）设计

存储芯片设计

集成电路设计自动化

集成电路验证与测试

集成电路版图设计

集成电路工艺技术

集成电路封装技术

集成电路可靠性分析

集成电路功耗优化

集成电路信号完整性

集成电路EMC设计

集成电路可测性设计

嵌入式存储器设计

数据转换器设计

功率集成电路设计

时钟与锁相环设计

接口集成电路设计

主题三：仿真设计

仿真设计基础理论

EDA工具与平台

集成电路仿真方法

电路级仿真（SPICE）

逻辑仿真与验证

时序仿真与分析

混合信号仿真

版图寄生参数提取

信号完整性仿真

电源完整性仿真

电磁场仿真

热仿真与热分析

工艺仿真与建模

器件仿真（TCAD）

系统级仿真

行为级建模

硬件描述语言仿真

仿真加速与优化

仿真结果分析

仿真与测试相关性

设计规则检查

物理验证与DRC

仿真设计协同优化

仿真设计标准化

【投稿说明】

1.本会议官方语言为英语，投稿者务必用英语撰写论文。如需翻译服务，请联系会议组墨老师。

2.论文应具有学术或实用价值，未在国内外学术期刊或会议发表过。作者可通过CrossCheck, Turnitin或其他查询系统自费查重，否则由文章重复率引起的被拒搞将由作者自行承担责任。涉嫌抄袭的论文将不被出版。

3.文章至少6页。请根据格式模板文件编辑您的文章。学生作者或多篇投稿有优惠。

4.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。

5.投稿主题请注明:SICSD 2026+通讯作者姓名（否则无法确认您的稿件）